ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Effective suppression of current collapse in both E- and D-mode AlGaN/GaN HEMTs on Si by [(NH4)2Sx] passivation

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Effective suppression of current collapse in both E- and D-mode AlGaN/GaN HEMTs on Si by [(NH4)2Sx] passivation
นักวิจัย : Vicknesh, Sahmuganathan , Arulkumaran, Subramaniam , Ng, Geok Ing
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2555
อ้างอิง : http://hdl.handle.net/10220/13454 , http://dx.doi.org/10.1109/MWSYM.2012.6259783
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

An effective suppression of drain current collapse was realized in both Enhancement (E)-mode and Depletion (D)-mode AlGaN/GaN High-electron-mobility-transistors (HEMTs) on 4-inch Silicon (111) by ammonium sulfide [(NH4)2Sx] passivation. The current collapse was studied using the pulsed current-voltage characteristics with the pulse width of 200 ns and pulse period of 1 ms. With reference to the AlGaN/GaN HEMTs without sulfur passivation, about 30% of the drain current collapse was suppressed for drain quiescent biases of 25 to 30 V. Obtaining low current collapse is essential to demonstrate high power GaN HEMTs.

บรรณานุกรม :
Vicknesh, Sahmuganathan , Arulkumaran, Subramaniam , Ng, Geok Ing . (2555). Effective suppression of current collapse in both E- and D-mode AlGaN/GaN HEMTs on Si by [(NH4)2Sx] passivation.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Vicknesh, Sahmuganathan , Arulkumaran, Subramaniam , Ng, Geok Ing . 2555. "Effective suppression of current collapse in both E- and D-mode AlGaN/GaN HEMTs on Si by [(NH4)2Sx] passivation".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Vicknesh, Sahmuganathan , Arulkumaran, Subramaniam , Ng, Geok Ing . "Effective suppression of current collapse in both E- and D-mode AlGaN/GaN HEMTs on Si by [(NH4)2Sx] passivation."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print.
Vicknesh, Sahmuganathan , Arulkumaran, Subramaniam , Ng, Geok Ing . Effective suppression of current collapse in both E- and D-mode AlGaN/GaN HEMTs on Si by [(NH4)2Sx] passivation. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.