ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Effect of exposure to ultraviolet-activated oxygen on the electrical characteristics of amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Effect of exposure to ultraviolet-activated oxygen on the electrical characteristics of amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors
นักวิจัย : Liu, P. , Chen, Tupei , Li, X. D. , Liu, Z. , Wong, J. I. , Liu, Y. , Leong, K. C.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2556
อ้างอิง : Liu, P., Chen, T., Li, X. D., Liu, Z., Wong, J. I., Liu, Y., & Leong, K. C. (2013). Effect of exposure to ultraviolet-activated oxygen on the electrical characteristics of amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors. ECS solid state letters, 2(4), Q21-Q24. , http://hdl.handle.net/10220/13305 , http://dx.doi.org/10.1149/2.005304ssl
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : ECS solid state letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

An exposure of the back channel of an indium gallium zinc oxide (IGZO) thin film transistor (TFT) to ultraviolet (UV)-activated oxygen can effectively shift the threshold voltage (Vth) of the TFT. The Vth decreases linearly with the exposure time while the on-state current greatly increase with the exposure time. The exposure doesn't have a strong impact on other device parameters. The effect of the exposure on the Vth is attributed to the increase in the electron concentration of the channel layer as a result of the creation of oxygen vacancies by exposure.

บรรณานุกรม :
Liu, P. , Chen, Tupei , Li, X. D. , Liu, Z. , Wong, J. I. , Liu, Y. , Leong, K. C. . (2556). Effect of exposure to ultraviolet-activated oxygen on the electrical characteristics of amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Liu, P. , Chen, Tupei , Li, X. D. , Liu, Z. , Wong, J. I. , Liu, Y. , Leong, K. C. . 2556. "Effect of exposure to ultraviolet-activated oxygen on the electrical characteristics of amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Liu, P. , Chen, Tupei , Li, X. D. , Liu, Z. , Wong, J. I. , Liu, Y. , Leong, K. C. . "Effect of exposure to ultraviolet-activated oxygen on the electrical characteristics of amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2556. Print.
Liu, P. , Chen, Tupei , Li, X. D. , Liu, Z. , Wong, J. I. , Liu, Y. , Leong, K. C. . Effect of exposure to ultraviolet-activated oxygen on the electrical characteristics of amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2556.