ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

The link between NBTI and TDDB of high-k gate P-MOSFETs

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : The link between NBTI and TDDB of high-k gate P-MOSFETs
นักวิจัย : Gao, Yuan , Ang, Diing Shenp
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2555
อ้างอิง : Gao, Y., & Ang, D. S. (2012). The link between NBTI and TDDB of high-k gate P-MOSFETs. 2012 19th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA). , http://hdl.handle.net/10220/12359 , http://dx.doi.org/10.1109/IPFA.2012.6306262
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

The relationship between NBTI and TDDB of Hf-based high-k p-MOSFETs is examined. At certain NBTI stressing conditions, the conversion of switching hole traps into permanent trapped holes will occur to reduce the NBTI recovery. The conversion is shown to correspond to a degradation of the TDDB lifetime. This evidence implies switching hole traps as a common link between NBTI and TDDB.

บรรณานุกรม :
Gao, Yuan , Ang, Diing Shenp . (2555). The link between NBTI and TDDB of high-k gate P-MOSFETs.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Gao, Yuan , Ang, Diing Shenp . 2555. "The link between NBTI and TDDB of high-k gate P-MOSFETs".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Gao, Yuan , Ang, Diing Shenp . "The link between NBTI and TDDB of high-k gate P-MOSFETs."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print.
Gao, Yuan , Ang, Diing Shenp . The link between NBTI and TDDB of high-k gate P-MOSFETs. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.