ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Phase evolution and room-temperature photoluminescence in amorphous SiC alloy.

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Phase evolution and room-temperature photoluminescence in amorphous SiC alloy.
นักวิจัย : Zhou, H. P. , Xu, M. , Wei, D. Y. , Ong, T. , Xiao, S. Q. , Xu, L. X. , Huang, S. Y. , Guo, Y. N. , Khan, S. , Xu, S.
คำค้น : DRNTU::Science::Physics.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2555
อ้างอิง : Zhou, H. P., Xu, M., Wei, D. Y., Ong, T., Xiao, S. Q., Xu, L. X., et al. (2012). Phase evolution and room-temperature photoluminescence in amorphous SiC alloy. Journal of Applied Physics, 111(10), 103526(1)-103526(7). , 0021-8979 , http://hdl.handle.net/10220/12054 , http://dx.doi.org/10.1063/1.4721412
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Journal of applied physics
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Amorphous SiC thin films with varying phases and compositions have been synthesized using a low frequency inductively coupled high density plasma source in a hydrogen diluted methane (CH4) and silane (SiH4) mixture. The optical and electrical properties along with the microstructures of the thin films are systematically investigated. The feedstock gas ratio of CH4/SiH4 leads to the fluctuations of the optical bandgap, the carbon content, and the transition of Si–Si bonding structure from crystalline to intermediate phase and finally to amorphous phase. Room temperature photoluminescence (PL) with nearly fixed emission energy has been observed in the thin films. The underlying PL mechanism is explained in the framework of quantum confinement-luminescence center model. The photoexcitation process occurs in the nc-Si quantum dots embedded in the host SiC matrix, whereas the photoemission process occurs in the luminescence centers in the surrounding SiC or at SiC-Si interfaces. The PL evolution with the chemical composition in the films is analyzed in terms of the density of the Si quantum dots and the Si–C bond.

บรรณานุกรม :
Zhou, H. P. , Xu, M. , Wei, D. Y. , Ong, T. , Xiao, S. Q. , Xu, L. X. , Huang, S. Y. , Guo, Y. N. , Khan, S. , Xu, S. . (2555). Phase evolution and room-temperature photoluminescence in amorphous SiC alloy..
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Zhou, H. P. , Xu, M. , Wei, D. Y. , Ong, T. , Xiao, S. Q. , Xu, L. X. , Huang, S. Y. , Guo, Y. N. , Khan, S. , Xu, S. . 2555. "Phase evolution and room-temperature photoluminescence in amorphous SiC alloy.".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Zhou, H. P. , Xu, M. , Wei, D. Y. , Ong, T. , Xiao, S. Q. , Xu, L. X. , Huang, S. Y. , Guo, Y. N. , Khan, S. , Xu, S. . "Phase evolution and room-temperature photoluminescence in amorphous SiC alloy.."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print.
Zhou, H. P. , Xu, M. , Wei, D. Y. , Ong, T. , Xiao, S. Q. , Xu, L. X. , Huang, S. Y. , Guo, Y. N. , Khan, S. , Xu, S. . Phase evolution and room-temperature photoluminescence in amorphous SiC alloy.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.