ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Characteristics of InAs/InGaAs/GaAs QDs on GeOI substrates with single-peak 1.3 µm room-temperature emission

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Characteristics of InAs/InGaAs/GaAs QDs on GeOI substrates with single-peak 1.3 µm room-temperature emission
นักวิจัย : Liang, Y. Y. , Yoon, Soon Fatt , Ngo, C. Y. , Loke, Wan Khai , Fitzgerald, Eugene A.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2555
อ้างอิง : Liang, Y. Y., Yoon, S. F., Ngo, C. Y., Loke, W. K., & Fitzgerald, E. A. (2012). Characteristics of InAs/InGaAs/GaAs QDs on GeOI substrates with single-peak 1.3 µm room-temperature emission. Journal of Physics D: Applied Physics, 45(14), 145103-. , http://hdl.handle.net/10220/11368 , http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/45/14/145103
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Journal of physics D : applied physics
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

GaAs-based quantum dot (QD) systems, especially InAs/InGaAs/GaAs QDs, have demonstrated superior device performances as compared with higher dimensional systems. However, to realize high-speed optical interconnects for Si-based electronics, one will need to grow the QDs on Si substrates. While it is promising to integrate the InAs/InGaAs/GaAs QDs on Si with the use of germanium-on-insulator-on-silicon (GeOI) substrates, reported results exhibit bimodal QD sizes and double emission peaks, i.e. unsatisfactory for realistic applications. In this paper, we showed that with an optimized GaAs buffer, single-peak 1.33 µm room-temperature emission can be obtained from InAs/InGaAs/GaAs QDs on GeOI substrates.

บรรณานุกรม :
Liang, Y. Y. , Yoon, Soon Fatt , Ngo, C. Y. , Loke, Wan Khai , Fitzgerald, Eugene A. . (2555). Characteristics of InAs/InGaAs/GaAs QDs on GeOI substrates with single-peak 1.3 µm room-temperature emission.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Liang, Y. Y. , Yoon, Soon Fatt , Ngo, C. Y. , Loke, Wan Khai , Fitzgerald, Eugene A. . 2555. "Characteristics of InAs/InGaAs/GaAs QDs on GeOI substrates with single-peak 1.3 µm room-temperature emission".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Liang, Y. Y. , Yoon, Soon Fatt , Ngo, C. Y. , Loke, Wan Khai , Fitzgerald, Eugene A. . "Characteristics of InAs/InGaAs/GaAs QDs on GeOI substrates with single-peak 1.3 µm room-temperature emission."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print.
Liang, Y. Y. , Yoon, Soon Fatt , Ngo, C. Y. , Loke, Wan Khai , Fitzgerald, Eugene A. . Characteristics of InAs/InGaAs/GaAs QDs on GeOI substrates with single-peak 1.3 µm room-temperature emission. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.