ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Sensing margin enhancement techniques for ultra-low-voltage SRAMs utilizing a bitline-boosting current and equalized bitline leakage

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Sensing margin enhancement techniques for ultra-low-voltage SRAMs utilizing a bitline-boosting current and equalized bitline leakage
นักวิจัย : Do, Anh Tuan , Nguyen, Truc Quynh , Yeo, Kiat Seng , Kim, Tony Tae-Hyoung
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2556
อ้างอิง : Do, A. T., Nguyen, T. Q., Yeo, K. S., & Kim, Tony T. T.-H. (2012). Sensing Margin Enhancement Techniques for Ultra-Low-Voltage SRAMs Utilizing a Bitline-Boosting Current and Equalized Bitline Leakage. IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 59(12), 868-872. , 1549-7747 , http://hdl.handle.net/10220/11361 , http://dx.doi.org/10.1109/TCSII.2012.2231014
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : IEEE transactions on circuits and systems II : express briefs
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

A small bitline sensing margin is one of the most challenging design obstacles for reliable ultra-low-voltage static random access memory (SRAM) implementation. This paper presents design techniques for bitline sensing margin enhancement using decoupled SRAMs. The proposed bitline-boosting current scheme improves the bitline sensing margin at a given bitline configuration. The bitline sensing margin can be further augmented by equalizing bitline leakage. Simulation using a 40-nm CMOS process shows that the proposed techniques achieve larger bitline sensing margin, wider operating temperature and supply range, and a larger number of cells per bitline.

บรรณานุกรม :
Do, Anh Tuan , Nguyen, Truc Quynh , Yeo, Kiat Seng , Kim, Tony Tae-Hyoung . (2556). Sensing margin enhancement techniques for ultra-low-voltage SRAMs utilizing a bitline-boosting current and equalized bitline leakage.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Do, Anh Tuan , Nguyen, Truc Quynh , Yeo, Kiat Seng , Kim, Tony Tae-Hyoung . 2556. "Sensing margin enhancement techniques for ultra-low-voltage SRAMs utilizing a bitline-boosting current and equalized bitline leakage".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Do, Anh Tuan , Nguyen, Truc Quynh , Yeo, Kiat Seng , Kim, Tony Tae-Hyoung . "Sensing margin enhancement techniques for ultra-low-voltage SRAMs utilizing a bitline-boosting current and equalized bitline leakage."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2556. Print.
Do, Anh Tuan , Nguyen, Truc Quynh , Yeo, Kiat Seng , Kim, Tony Tae-Hyoung . Sensing margin enhancement techniques for ultra-low-voltage SRAMs utilizing a bitline-boosting current and equalized bitline leakage. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2556.