ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Positive bias-induced Vth instability in graphene field effect transistors

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Positive bias-induced Vth instability in graphene field effect transistors
นักวิจัย : Liu, W. J. , Sun, Xiaowei , Fang, Z. , Wang, Z. R. , Tran, Xuan Anh , Wang, F. , Wu, L. , Ng, Geok Ing , Zhang, J. F. , Wei, J. , Zhu, H. L. , Yu, Hongyu
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2555
อ้างอิง : http://hdl.handle.net/10220/11342 , http://dx.doi.org/10.1109/LED.2011.2181150
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : IEEE electron device letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

In this letter, we report positive bias-induced Vth instability in single and multilayer graphene field effect transistors (GFETs) with back-gate SiO2 dielectric. The ΔVth of GFETs increases as stressing time and voltage increases, and tends to saturate after long stressing time. In the meanwhile, it does not show much dependence on gate length, width, and the number of graphene layers. The 1/f noise measurement indicates no newly generated traps in SiO2/graphene interface caused by positive bias stressing. Mobility is seen to degrade with temperature in- creasing. The degradation is believed to be caused by the trapped electrons in bulk SiO2 or SiO2/graphene interface and trap generation in bulk SiO2.

บรรณานุกรม :
Liu, W. J. , Sun, Xiaowei , Fang, Z. , Wang, Z. R. , Tran, Xuan Anh , Wang, F. , Wu, L. , Ng, Geok Ing , Zhang, J. F. , Wei, J. , Zhu, H. L. , Yu, Hongyu . (2555). Positive bias-induced Vth instability in graphene field effect transistors.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Liu, W. J. , Sun, Xiaowei , Fang, Z. , Wang, Z. R. , Tran, Xuan Anh , Wang, F. , Wu, L. , Ng, Geok Ing , Zhang, J. F. , Wei, J. , Zhu, H. L. , Yu, Hongyu . 2555. "Positive bias-induced Vth instability in graphene field effect transistors".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Liu, W. J. , Sun, Xiaowei , Fang, Z. , Wang, Z. R. , Tran, Xuan Anh , Wang, F. , Wu, L. , Ng, Geok Ing , Zhang, J. F. , Wei, J. , Zhu, H. L. , Yu, Hongyu . "Positive bias-induced Vth instability in graphene field effect transistors."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print.
Liu, W. J. , Sun, Xiaowei , Fang, Z. , Wang, Z. R. , Tran, Xuan Anh , Wang, F. , Wu, L. , Ng, Geok Ing , Zhang, J. F. , Wei, J. , Zhu, H. L. , Yu, Hongyu . Positive bias-induced Vth instability in graphene field effect transistors. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.