ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Operating TSV in stable accumulation capacitance region by utilizing Al2O3-induced negative fixed charge

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Operating TSV in stable accumulation capacitance region by utilizing Al2O3-induced negative fixed charge
นักวิจัย : Zhang, L. , Peng, L. , Li, H. Y. , Lo, Guo-Qing , Kwong, Dim Lee , Tan, Chuan Seng
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2555
อ้างอิง : http://hdl.handle.net/10220/11346 , http://dx.doi.org/10.1109/LED.2012.2190968
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : IEEE electron device letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

The variation of through-silicon-via (TSV) capacitance caused by nonuniform hot-spot heating can lead to spatial circuit performance variation; this effect is undesirable for 3-D IC design. Hence, stable TSV capacitance is desired to overcome this issue. In this letter, stable TSV capacitance is achieved by utilizing Al2O3-induced negative fixed charge (|Qf| = 7.44 × 1011 cm-2) at the Si-liner interface. This causes a positive shift in the flat-band voltage (ΔVFB = 6.85 V) and results in the TSV operating in the stable accumulation capacitance region within operating voltage of interests (~0-5 V). The leakage current density of the TSV with Al2O3 layer and PETEOS liner is improved by ~10× after annealing in forming gas (N2/H2) at 300 °C for 30 min.

บรรณานุกรม :
Zhang, L. , Peng, L. , Li, H. Y. , Lo, Guo-Qing , Kwong, Dim Lee , Tan, Chuan Seng . (2555). Operating TSV in stable accumulation capacitance region by utilizing Al2O3-induced negative fixed charge.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Zhang, L. , Peng, L. , Li, H. Y. , Lo, Guo-Qing , Kwong, Dim Lee , Tan, Chuan Seng . 2555. "Operating TSV in stable accumulation capacitance region by utilizing Al2O3-induced negative fixed charge".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Zhang, L. , Peng, L. , Li, H. Y. , Lo, Guo-Qing , Kwong, Dim Lee , Tan, Chuan Seng . "Operating TSV in stable accumulation capacitance region by utilizing Al2O3-induced negative fixed charge."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print.
Zhang, L. , Peng, L. , Li, H. Y. , Lo, Guo-Qing , Kwong, Dim Lee , Tan, Chuan Seng . Operating TSV in stable accumulation capacitance region by utilizing Al2O3-induced negative fixed charge. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.