ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

A self-rectifying HfOx-based unipolar RRAM with NiSi electrode

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : A self-rectifying HfOx-based unipolar RRAM with NiSi electrode
นักวิจัย : Tran, Xuan Anh , Zhu, W. G. , Gao, Bin , Kang, J. F. , Liu, W. J. , Fang, Z. , Wang, Z. R. , Yeo, Y. C. , Nguyen, B. Y. , Li, M. F. , Yu, Hongyu
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2555
อ้างอิง : http://hdl.handle.net/10220/11349 , http://dx.doi.org/10.1109/LED.2011.2181971
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : IEEE electron device letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

In this letter, a unipolar resistive switching random access memory (RAM) based on NiSi/HfOx/TiN structure is demonstrated, which is compatible with NiSi S/D in advance CMOS technology process. Highlights of the demonstrated resistive RAM include the following: 1) CMOS-technology-friendly materials and process; 2) excellent self-rectifying behavior in low-resistance state (>; 103 at 1 V); 3) well-behaved memory performance, such as high on/off resistance ratio (>; 102) and good retention characteristics (>;105 s at 125 °C ); and 4) wide readout margin for high-density cross-point memory devices (number of word lines 106 for the worst case condition).

บรรณานุกรม :
Tran, Xuan Anh , Zhu, W. G. , Gao, Bin , Kang, J. F. , Liu, W. J. , Fang, Z. , Wang, Z. R. , Yeo, Y. C. , Nguyen, B. Y. , Li, M. F. , Yu, Hongyu . (2555). A self-rectifying HfOx-based unipolar RRAM with NiSi electrode.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Tran, Xuan Anh , Zhu, W. G. , Gao, Bin , Kang, J. F. , Liu, W. J. , Fang, Z. , Wang, Z. R. , Yeo, Y. C. , Nguyen, B. Y. , Li, M. F. , Yu, Hongyu . 2555. "A self-rectifying HfOx-based unipolar RRAM with NiSi electrode".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Tran, Xuan Anh , Zhu, W. G. , Gao, Bin , Kang, J. F. , Liu, W. J. , Fang, Z. , Wang, Z. R. , Yeo, Y. C. , Nguyen, B. Y. , Li, M. F. , Yu, Hongyu . "A self-rectifying HfOx-based unipolar RRAM with NiSi electrode."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print.
Tran, Xuan Anh , Zhu, W. G. , Gao, Bin , Kang, J. F. , Liu, W. J. , Fang, Z. , Wang, Z. R. , Yeo, Y. C. , Nguyen, B. Y. , Li, M. F. , Yu, Hongyu . A self-rectifying HfOx-based unipolar RRAM with NiSi electrode. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.