ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Enhanced stability of Ni monosilicide on MOSFETs poly-Si gate stack

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Enhanced stability of Ni monosilicide on MOSFETs poly-Si gate stack
นักวิจัย : Lee, Pooi See , Mangelinck, D. , Pey, Kin Leong , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , See, A.
คำค้น : -
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2545
อ้างอิง : Lee, P. S., Mangelinck, D., Pey, K. L., Ding, J., Chi, D. Z., Osipowicz, T., et al. (2002). Enhanced stability of Ni monosilicide on MOSFETs poly-Si gate stack. Microelectronic engineering, 60(1-2), 171-181. , 0167-9317 , http://hdl.handle.net/10220/10542 , http://dx.doi.org/10.1016/S0167-9317(01)00592-5
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Microelectronic engineering
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

The formation and stability of Ni(Pt)Si on metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFETs) polycrystalline-Si (poly-Si) gate stack was investigated. Poly-Si and partial amorphous Si (a-Si) structures were grown using LPCVD and RTCVD techniques. For pure Ni silicidation, nucleation of NiSi2 was found at 700°C, which is slightly lower than that on monocrystalline Si (about 750°C). With Pt addition, Ni(Pt)Si was found up to 800°C, implying the important role of Gibbs free energy changes in enhancing the monosilicide stability. The extent of layer inversion of Ni(Pt)Si on RTCVD-Si is less than that on LPCVD-Si and thus results in a slower sheet resistance degradation.

บรรณานุกรม :
Lee, Pooi See , Mangelinck, D. , Pey, Kin Leong , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , See, A. . (2545). Enhanced stability of Ni monosilicide on MOSFETs poly-Si gate stack.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Lee, Pooi See , Mangelinck, D. , Pey, Kin Leong , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , See, A. . 2545. "Enhanced stability of Ni monosilicide on MOSFETs poly-Si gate stack".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Lee, Pooi See , Mangelinck, D. , Pey, Kin Leong , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , See, A. . "Enhanced stability of Ni monosilicide on MOSFETs poly-Si gate stack."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2545. Print.
Lee, Pooi See , Mangelinck, D. , Pey, Kin Leong , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , See, A. . Enhanced stability of Ni monosilicide on MOSFETs poly-Si gate stack. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2545.