ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Erbium silicidation on SiGe for advanced MOS application

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Erbium silicidation on SiGe for advanced MOS application
นักวิจัย : Yiew, Daphne Q. F. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See , Chi, Dong Zhi
คำค้น : DRNTU::Engineering::Materials::Microelectronics and semiconductor materials::Thin films
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2548
อ้างอิง : Yiew, D. Q. F., Setiawan, Y., Lee, P. S., & Chi, D. Z. (2006). Erbium silicidation on SiGe for advanced MOS application. Thin Solid Films, 504(1-2), 91-94. , 0040-6090 , http://hdl.handle.net/10220/10501 , http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2005.09.048
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Thin solid films
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Ti capping has been found to be beneficial on Er(Si1−yGey)2 formation in Ti/Er/Si1−xGex system. In the case of the system without Ti cap, the sample was oxidized at temperature as low as 300 °C and Er2SiO5 was found to be the predominant phase at all annealing temperatures. On the other hand, for Ti/Er/Si1−xGex samples, no Er2O3 was formed and the predominant phase found after annealing at higher temperature was Er(Si1−yGey)2 resulting in a lower sheet resistance than those without Ti cap. In addition, Ti capping has also improved the surface morphology of the sample by reducing the pyramid-like defects which were found in Er/Si1−xGex samples especially after annealing at 600 °C.

บรรณานุกรม :
Yiew, Daphne Q. F. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See , Chi, Dong Zhi . (2548). Erbium silicidation on SiGe for advanced MOS application.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Yiew, Daphne Q. F. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See , Chi, Dong Zhi . 2548. "Erbium silicidation on SiGe for advanced MOS application".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Yiew, Daphne Q. F. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See , Chi, Dong Zhi . "Erbium silicidation on SiGe for advanced MOS application."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2548. Print.
Yiew, Daphne Q. F. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See , Chi, Dong Zhi . Erbium silicidation on SiGe for advanced MOS application. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2548.