| ชื่อเรื่อง | : | Improved pentacene device characteristics with sol–gel SiO2 dielectric films |
| นักวิจัย | : | Cahyadi, Tommy , Tan, H. S. , Namdas, E. B. , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Lee, Pooi See , Chen, Z. K. , Ng, C. M. , Boey, Freddy Yin Chiang |
| คำค้น | : | DRNTU::Engineering::Materials::Microelectronics and semiconductor materials::Thin films |
| หน่วยงาน | : | Nanyang Technological University, Singapore |
| ผู้ร่วมงาน | : | - |
| ปีพิมพ์ | : | 2549 |
| อ้างอิง | : | Cahyadi, T., Tan, H. S., Namdas, E. B., Mhaisalkar, S. G., Lee, P. S., Chen, Z. K., Ng, C. M., & Boey, F. Y. C. (2007). Improved pentacene device characteristics with sol–gel SiO2 dielectric films. Organic electronics, 8(4), 455-459. , 1566-1199 , http://hdl.handle.net/10220/10486 , http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2006.12.006 |
| ที่มา | : | - |
| ความเชี่ยวชาญ | : | - |
| ความสัมพันธ์ | : | Organic electronics |
| ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
| บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | The interfacial interactions between semiconductors and gate dielectrics have a profound influence on the device characteristics of field effect transistors (FETs). This paper reports on the concept of introducing a sol–gel SiO2 as inorganic capping layer to significantly improve device characteristics of pentacene-based FETs. The smoother film surfaces of sol–gel SiO2 (1.9 Å root-mean-square) induced larger pentacene grain sizes, and led to hole mobilities of 1.43 cm2/Vs, on–off ratio of 107, and a subthreshold swing of 102 mV/decade when operating at −20 V. |
| บรรณานุกรม | : |
Cahyadi, Tommy , Tan, H. S. , Namdas, E. B. , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Lee, Pooi See , Chen, Z. K. , Ng, C. M. , Boey, Freddy Yin Chiang . (2549). Improved pentacene device characteristics with sol–gel SiO2 dielectric films.
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Cahyadi, Tommy , Tan, H. S. , Namdas, E. B. , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Lee, Pooi See , Chen, Z. K. , Ng, C. M. , Boey, Freddy Yin Chiang . 2549. "Improved pentacene device characteristics with sol–gel SiO2 dielectric films".
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore. Cahyadi, Tommy , Tan, H. S. , Namdas, E. B. , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Lee, Pooi See , Chen, Z. K. , Ng, C. M. , Boey, Freddy Yin Chiang . "Improved pentacene device characteristics with sol–gel SiO2 dielectric films."
กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2549. Print. Cahyadi, Tommy , Tan, H. S. , Namdas, E. B. , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Lee, Pooi See , Chen, Z. K. , Ng, C. M. , Boey, Freddy Yin Chiang . Improved pentacene device characteristics with sol–gel SiO2 dielectric films. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2549.
|
ridm@nrct.go.th ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย รายการโปรดที่คุณเลือกไว้
