ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Improved pentacene device characteristics with sol–gel SiO2 dielectric films

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Improved pentacene device characteristics with sol–gel SiO2 dielectric films
นักวิจัย : Cahyadi, Tommy , Tan, H. S. , Namdas, E. B. , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Lee, Pooi See , Chen, Z. K. , Ng, C. M. , Boey, Freddy Yin Chiang
คำค้น : DRNTU::Engineering::Materials::Microelectronics and semiconductor materials::Thin films
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2549
อ้างอิง : Cahyadi, T., Tan, H. S., Namdas, E. B., Mhaisalkar, S. G., Lee, P. S., Chen, Z. K., Ng, C. M., & Boey, F. Y. C. (2007). Improved pentacene device characteristics with sol–gel SiO2 dielectric films. Organic electronics, 8(4), 455-459. , 1566-1199 , http://hdl.handle.net/10220/10486 , http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2006.12.006
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Organic electronics
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

The interfacial interactions between semiconductors and gate dielectrics have a profound influence on the device characteristics of field effect transistors (FETs). This paper reports on the concept of introducing a sol–gel SiO2 as inorganic capping layer to significantly improve device characteristics of pentacene-based FETs. The smoother film surfaces of sol–gel SiO2 (1.9 Å root-mean-square) induced larger pentacene grain sizes, and led to hole mobilities of 1.43 cm2/Vs, on–off ratio of 107, and a subthreshold swing of 102 mV/decade when operating at −20 V.

บรรณานุกรม :
Cahyadi, Tommy , Tan, H. S. , Namdas, E. B. , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Lee, Pooi See , Chen, Z. K. , Ng, C. M. , Boey, Freddy Yin Chiang . (2549). Improved pentacene device characteristics with sol–gel SiO2 dielectric films.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Cahyadi, Tommy , Tan, H. S. , Namdas, E. B. , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Lee, Pooi See , Chen, Z. K. , Ng, C. M. , Boey, Freddy Yin Chiang . 2549. "Improved pentacene device characteristics with sol–gel SiO2 dielectric films".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Cahyadi, Tommy , Tan, H. S. , Namdas, E. B. , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Lee, Pooi See , Chen, Z. K. , Ng, C. M. , Boey, Freddy Yin Chiang . "Improved pentacene device characteristics with sol–gel SiO2 dielectric films."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2549. Print.
Cahyadi, Tommy , Tan, H. S. , Namdas, E. B. , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Lee, Pooi See , Chen, Z. K. , Ng, C. M. , Boey, Freddy Yin Chiang . Improved pentacene device characteristics with sol–gel SiO2 dielectric films. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2549.