ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Electron trap transformation under positive-bias temperature stressing

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Electron trap transformation under positive-bias temperature stressing
นักวิจัย : Gao, Yuan , Ang, Diing Shenp , Bersuker, G. , Young, C. D.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2556
อ้างอิง : Gao, Y., Ang, D. S., Bersuker, G., & Young, C. D. (2013). Electron Trap Transformation under Positive-Bias Temperature Stressing. IEEE Electron Device Letters, 34(3), 351-353. , http://hdl.handle.net/10220/9977 , http://dx.doi.org/10.1109/LED.2013.2242041 , 172593
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : IEEE electron device letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Electron detrapping in the TiN/HfO2 gate n-MOSFET under dynamic positive-bias temperature instability (PBTI) is examined. Similar to hole detrapping under dynamic negative-bias temperature instability (NBTI), electron detrapping per relaxation cycle is a constant under a low oxide stress field (~ 5.5 MV/cm), independent of the number of times the transistor is stressed and relaxed, and it progressively decreases with the number of stress/relaxation cycles at a higher oxide stress field (~7 MV/cm). Analysis shows that the decrease is due to a portion of the electron trap states being transformed into deeper levels, thereby increasing the emission time of the trapped electrons. However, unlike hole detrapping, the decrease in electron detrapping is not accompanied by a correlated increase in the stress-induced leakage current, and it can be reversed with a moderate negative gate voltage. These differences from NBTI suggest that distinct defects are active under PBTI.

บรรณานุกรม :
Gao, Yuan , Ang, Diing Shenp , Bersuker, G. , Young, C. D. . (2556). Electron trap transformation under positive-bias temperature stressing.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Gao, Yuan , Ang, Diing Shenp , Bersuker, G. , Young, C. D. . 2556. "Electron trap transformation under positive-bias temperature stressing".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Gao, Yuan , Ang, Diing Shenp , Bersuker, G. , Young, C. D. . "Electron trap transformation under positive-bias temperature stressing."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2556. Print.
Gao, Yuan , Ang, Diing Shenp , Bersuker, G. , Young, C. D. . Electron trap transformation under positive-bias temperature stressing. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2556.