ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

The electronic barrier height of silicon native oxides at different oxidation stages

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : The electronic barrier height of silicon native oxides at different oxidation stages
นักวิจัย : Qin, H. L. , Goh, K. E. J. , Troadec, C. , Bosman, Michel , Pey, Kin Leong
คำค้น : -
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2555
อ้างอิง : Qin, H. L., Goh, K. E. J., Troadec, C., Bosman, M., & Pey, K. L. (2012). The electronic barrier height of silicon native oxides at different oxidation stages. Journal of applied physics, 111(5). , 0021-8979 , http://hdl.handle.net/10220/9206 , http://dx.doi.org/10.1063/1.3693556
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Journal of applied physics
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

A systematic study on silicon native oxides grown in ambient air at room temperature is carried out using ballistic electron emission microscopy. The electronic barrier height of Au/native oxide was directly measured for native oxides at different oxidation stages. While the ballistic electron transmission decreases with increasing oxidation time, the electronic barrier height remains the same, even after oxidation for 1 week. After oxidation for 26 months, the oxide layer showed the bulk-like SiO2 barrier; however, some local areas still show the same barrier height as that of an Au/n-Si device. This demonstrates the non-uniformity of native oxide growth.

บรรณานุกรม :
Qin, H. L. , Goh, K. E. J. , Troadec, C. , Bosman, Michel , Pey, Kin Leong . (2555). The electronic barrier height of silicon native oxides at different oxidation stages.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Qin, H. L. , Goh, K. E. J. , Troadec, C. , Bosman, Michel , Pey, Kin Leong . 2555. "The electronic barrier height of silicon native oxides at different oxidation stages".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Qin, H. L. , Goh, K. E. J. , Troadec, C. , Bosman, Michel , Pey, Kin Leong . "The electronic barrier height of silicon native oxides at different oxidation stages."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2555. Print.
Qin, H. L. , Goh, K. E. J. , Troadec, C. , Bosman, Michel , Pey, Kin Leong . The electronic barrier height of silicon native oxides at different oxidation stages. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2555.