ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Analytical modeling of reservoir effect on electromigration in Cu interconnects

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Analytical modeling of reservoir effect on electromigration in Cu interconnects
นักวิจัย : Gan, Zhenghao , Gusak, A. M. , Shao, W. , Chen, Zhong , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Zaporozhets, T. , Tu, K. N.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Materials
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2550
อ้างอิง : Gan, Z., Gusak, A. M., Shao, W., Chen, Z., Mhaisalkar, S. G., Zaporozhets, T., et. al. (2007). Analytical modeling of reservoir effect on electromigration in Cu interconnects. Journal of materials research, 22(1), 152-156. , http://hdl.handle.net/10220/7709 , http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2007.0001
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Journal of materials research
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Electromigration (EM) in Cu dual-damascene interconnects with extensions (also described as overhangs or reservoirs) ranging from 0 to 120 nm in the upper metal (M2) was investigated by an analytical model considering the work of electron wind and surface/interface energy. It was found that there exists a critical extension length beyond which increasing extension lengths ceases to prolong electromigration lifetimes. The critical extension length is a function of void size and electrical field gradient. The analytical model agrees very well with existing experimental results. Some design guidelines for electromigration-resistant circuits could be generated by the model.

บรรณานุกรม :
Gan, Zhenghao , Gusak, A. M. , Shao, W. , Chen, Zhong , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Zaporozhets, T. , Tu, K. N. . (2550). Analytical modeling of reservoir effect on electromigration in Cu interconnects.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Gan, Zhenghao , Gusak, A. M. , Shao, W. , Chen, Zhong , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Zaporozhets, T. , Tu, K. N. . 2550. "Analytical modeling of reservoir effect on electromigration in Cu interconnects".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Gan, Zhenghao , Gusak, A. M. , Shao, W. , Chen, Zhong , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Zaporozhets, T. , Tu, K. N. . "Analytical modeling of reservoir effect on electromigration in Cu interconnects."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2550. Print.
Gan, Zhenghao , Gusak, A. M. , Shao, W. , Chen, Zhong , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Zaporozhets, T. , Tu, K. N. . Analytical modeling of reservoir effect on electromigration in Cu interconnects. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2550.