ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลอินเดียมแกลเลียมฟอสไฟด์บนผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ โดยใช้แหล่งกำเนิดฟอสฟอรัสจากการแยกสารประกอบแกลเลียมฟอสไฟด์

หน่วยงาน สำนักงานกองทุนสนับสนุนการวิจัย

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลอินเดียมแกลเลียมฟอสไฟด์บนผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ โดยใช้แหล่งกำเนิดฟอสฟอรัสจากการแยกสารประกอบแกลเลียมฟอสไฟด์
นักวิจัย : สุวัฒน์ โสภิตพันธ์
คำค้น : -
หน่วยงาน : สำนักงานกองทุนสนับสนุนการวิจัย
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2552
อ้างอิง : http://elibrary.trf.or.th/project_content.asp?PJID=PDF4380020 , http://research.trf.or.th/node/640
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

โครงการนี้เป็นการดำเนินงานวิจัยการปลูกชั้นผลึกอินเดียมแกลเลียมฟอสไฟด์ (In1-xGaxP) ลงบนผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs) ด้วยเทคโนโลยีการปลูกผลึกด้วยลำโมเลกุล โดยจะต้องมีการควบคุมค่า x ให้มีค่าประมาณ 0.52 เพื่อให้เกิดเป็นชั้นผลึก In0.48Ga0.52P ซึ่งมีค่าคงที่ของโครงผลึกเท่ากับของผลึก GaAs ทำให้ได้ชั้นผลึกที่มีคุณภาพดีและมีคุณสมบัติเด่นในด้านแสง มีช่องว่างพลังงานที่กว้างกว่า GaAs ซึ่งจะมีประโยชน์มากในการนำไปประยุกต์ในงานด้านควอนตัมทางแสง การปลูกชั้นผลึก InGaP ด้วยลำโมเลกุลนี้ จะต้องทำในบรรยากาศของฟอสฟอรัสซึ่งกำเนิดมาจากการแยกสารประกอบ GaP ที่อยู่ภายในเบ้าหลอมอุณหภูมิสูงและมีการออกแบบเป็นพิเศษ โมเลกุลของฟอสฟอรัสจะสามารถหลุดออกมาจากเบ้าหลอมได้ ในขณะที่โมเลกุลของแกลเลียมจะถูกกักเอาไว้ภายในเบ้าหลอมนั้น งานวิจัยนี้จึงต้องมีการศึกษาเงื่อนไขการควบคุมลำโมเลกุลของฟอสฟอรัสที่กำเนิดจากการแยกสารประกอบ GaP ด้วย Solid compound decomposition cell ที่ได้ทำการติดตั้งเพิ่มเติมสำหรับงานวิจัยนี้ ตลอดจนการศึกษาเงื่อนไขการปลูกชั้นผลึก InGaP ให้มีคุณภาพดี มีค่าคงที่ของโครงผลึกเท่ากันกับของผลึก GaAs ซึ่งใช้เป็นผลึกฐาน ซึ่งการตรวจสอบจะกระทำในระหว่างการปลูกชั้นผลึกด้วยเทคนิค Reflection High Energy Electron Diffraction หรือ RHEED โดยสามารถตรวจสอบได้ทั้งคุณภาพผิวของชั้นผลึกที่ปลูกได้ การตรวจสอบเงื่อนไขอุณหภูมิที่เหมาะสมในการปลูกผลึก และใช้ตรวจสอบอัตราการปลูกชั้นผลึกเพื่อปรับอัตราส่วนขององค์ประกอบในเนื้อผลึกได้อีกด้วย ผลการวิจัยสามารถปลูกชั้นผลึก In1-xGaxP ที่มีค่า x เท่ากับ 0.54 คลาดเคลื่อนจากเป้าหมายที่กำหนดเล็กน้อย แต่ยังสามารถปลูกชั้นผลึกที่มีค่าคงที่โครงผลึกแตกต่างจากผลึกฐานเพียง 0.17 เปอร์เซ็นต์ ซึ่งเป็นค่าความแตกต่างที่น้อยมาก และจากการตรวจสอบด้วย RHEED pattern หลังการปลูกชั้นผลึกหนา 2000 ML พบว่าผิวของชั้นผลึกยังคงความสมบูรณ์ มีลักษณะราบเรียบเพียงพอที่จะนำไปใช้งานต่อไปได้ This research work is mainly on growing good quality molecular beam epitaxial layer of In1-xGaxP which has mole fraction x = 0.52 that will has lattice matched to GaAs substrates. The In0.48Ga0.52P epitaxial layer is grown by molecular beam epitaxy (MBE) system, which has a GaP decomposition cell working as a P2 source. In situ growth monitoring such as Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED) was used to observe surface quality, growth rate of the epitaxial layer for calibrating elements composition in the epitaxy and functioned as a probe to check the proper temperature for the growth of the layer. The results shown that it has In1-xGaxP layer grown on the GaAs substrate with x equal to 0.54. However, lattice constant of the epitaxy is nearly the same as the substrate with a different value of 0.17% that has no effect to the quality of the epitaxial layer. From the RHEED observation, it has shown streaky pattern from a good surface of 2000 ML epitaxy that is ready for further usage .

บรรณานุกรม :
สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ . (2552). การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลอินเดียมแกลเลียมฟอสไฟด์บนผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ โดยใช้แหล่งกำเนิดฟอสฟอรัสจากการแยกสารประกอบแกลเลียมฟอสไฟด์.
    กรุงเทพมหานคร : สำนักงานกองทุนสนับสนุนการวิจัย.
สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ . 2552. "การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลอินเดียมแกลเลียมฟอสไฟด์บนผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ โดยใช้แหล่งกำเนิดฟอสฟอรัสจากการแยกสารประกอบแกลเลียมฟอสไฟด์".
    กรุงเทพมหานคร : สำนักงานกองทุนสนับสนุนการวิจัย.
สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ . "การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลอินเดียมแกลเลียมฟอสไฟด์บนผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ โดยใช้แหล่งกำเนิดฟอสฟอรัสจากการแยกสารประกอบแกลเลียมฟอสไฟด์."
    กรุงเทพมหานคร : สำนักงานกองทุนสนับสนุนการวิจัย, 2552. Print.
สุวัฒน์ โสภิตพันธ์ . การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุลอินเดียมแกลเลียมฟอสไฟด์บนผลึกฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ โดยใช้แหล่งกำเนิดฟอสฟอรัสจากการแยกสารประกอบแกลเลียมฟอสไฟด์. กรุงเทพมหานคร : สำนักงานกองทุนสนับสนุนการวิจัย; 2552.