ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Improved NiSi salicide process using presilicide N2+ implant for MOSFETs

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Improved NiSi salicide process using presilicide N2+ implant for MOSFETs
นักวิจัย : Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Wee, A. T. S. , Chan, L.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Materials
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2543
อ้างอิง : Lee, P. S., Pey, K. L., Mangelinck, D., Ding, J., Wee, T. S., & Chan, L. (2000). Improved NiSi Salicide Process using Presilicide N2+ Implant for MOSFETs. IEEE Electron Device Letters, 21(12), 566-568. , http://hdl.handle.net/10220/8341 , http://dx.doi.org/10.1109/55.887467
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : IEEE electron device letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

An improved Ni salicide process has been developed by incorporating nitrogen (N+ 2 ) implant prior to Ni deposition to widen the salicide processing temperature window. Salicided poly-Si gate and active regions of different linewidths show improved thermal stability with low sheet resistance up to a salicidation temperature of 700 and 750 °C, respectively. Nitrogen was found to be confined within the NiSi layer and reduced agglomeration of the silicide. Phase transformation to the undesirable high resistivity NiSi2 phase was delayed, likely due to a change in the interfacial energy. The electrical results of N+2 implanted Ni-salicided PMOSFETs show higher drive current and lower junction leakage as compared to devices with no N+2 implant.

บรรณานุกรม :
Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Wee, A. T. S. , Chan, L. . (2543). Improved NiSi salicide process using presilicide N2+ implant for MOSFETs.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Wee, A. T. S. , Chan, L. . 2543. "Improved NiSi salicide process using presilicide N2+ implant for MOSFETs".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Wee, A. T. S. , Chan, L. . "Improved NiSi salicide process using presilicide N2+ implant for MOSFETs."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2543. Print.
Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Wee, A. T. S. , Chan, L. . Improved NiSi salicide process using presilicide N2+ implant for MOSFETs. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2543.