ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Effect of ion implantation on layer inversion of Ni silicided poly-Si

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Effect of ion implantation on layer inversion of Ni silicided poly-Si
นักวิจัย : Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , Chan, L.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Materials::Microelectronics and semiconductor materials
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2545
อ้างอิง : Lee, P. S., Pey, K. L., Mangelinck, D., Ding, J., Chi, D. Z, Osipowicz, T., et al. (2002). Effect of ion implantation on layer inversion of Ni silicided poly-Si. Journal of The Electrochemical Society, 149(9), G505-G509. , http://hdl.handle.net/10220/8104 , http://dx.doi.org/10.1149/1.1494828
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Journal of the electrochemical society
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

The effect of ion implantation on the behavior and extent of layer inversion in Ni-silicided poly-Si was investigated. Two different implantation species, namely, BF2 + and N2+ , which affect the poly-Si grain growth were used. Retarded layer inversion was found with the ion-implanted poly-Si substrates. However, the formation of NiSi2 takes place at 700°C, which is slightly lower than that on Si(100). The easy nucleation of NiSi2 on poly-Si is implicitly related to the morphology perturbation.

บรรณานุกรม :
Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , Chan, L. . (2545). Effect of ion implantation on layer inversion of Ni silicided poly-Si.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , Chan, L. . 2545. "Effect of ion implantation on layer inversion of Ni silicided poly-Si".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , Chan, L. . "Effect of ion implantation on layer inversion of Ni silicided poly-Si."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2545. Print.
Lee, Pooi See , Pey, Kin Leong , Mangelinck, D. , Ding, Jun , Chi, Dong Zhi , Osipowicz, T. , Dai, J. Y. , Chan, L. . Effect of ion implantation on layer inversion of Ni silicided poly-Si. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2545.