ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

LaAlO3 nanocrystals embedded in amorphous Lu2O3 high-k gate dielectric for floating gate memory application

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : LaAlO3 nanocrystals embedded in amorphous Lu2O3 high-k gate dielectric for floating gate memory application
นักวิจัย : Yuan, C. L. , Darmawan, P. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See
คำค้น : DRNTU::Engineering::Materials::Nanostructured materials.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2549
อ้างอิง : Yuan, C. L., Darmawan, P., Setiawan, Y., & Lee, P. S. (2006). LaAlO3 nanocrystals embedded in amorphous Lu2O3 high-k gate dielectric for floating gate memory application. Electrochemical and Solid-State Letters, 9(6), F53-F55. , http://hdl.handle.net/10220/8096 , http://dx.doi.org/10.1149/1.2193069
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Electrochemical and solid-state letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

A novel method to fabricate the memory structure of LaAlO3 nanocrystals embedded in amorphous Lu2O3 high-k dielectric by the pulsed laser deposition method using a rotating target was successfully developed. The average mean size and aerial density of the LaAlO3 nanocrystals are estimated to be about 6 nm and 1.1 x 10^12 cm−2, respectively. Superior performances in terms of a large memory window, long data retention, and robust endurance were observed.

บรรณานุกรม :
Yuan, C. L. , Darmawan, P. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See . (2549). LaAlO3 nanocrystals embedded in amorphous Lu2O3 high-k gate dielectric for floating gate memory application.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Yuan, C. L. , Darmawan, P. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See . 2549. "LaAlO3 nanocrystals embedded in amorphous Lu2O3 high-k gate dielectric for floating gate memory application".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Yuan, C. L. , Darmawan, P. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See . "LaAlO3 nanocrystals embedded in amorphous Lu2O3 high-k gate dielectric for floating gate memory application."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2549. Print.
Yuan, C. L. , Darmawan, P. , Setiawan, Y. , Lee, Pooi See . LaAlO3 nanocrystals embedded in amorphous Lu2O3 high-k gate dielectric for floating gate memory application. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2549.