ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Role of low temperature rapid thermal annealing in post-laser-annealed p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Role of low temperature rapid thermal annealing in post-laser-annealed p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor
นักวิจัย : Ong, K. K. , Pey, Kin Leong , Lee, Pooi See , Wee, A. T. S. , Wang, X. C. , Tung, Chih Hang , Tang, L. J. , Chong, Y. F.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Materials.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2549
อ้างอิง : Ong, K. K., Pey, K. L., Lee, P. S., Wee, A. T. S., Wang, X. C., Tung, C. H., et al. (2006). Role of low temperature rapid thermal annealing in post-laser-annealed p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor. Applied Physics Letters, 89(12). , http://hdl.handle.net/10220/8062 , http://dx.doi.org/10.1063/1.2354446
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Applied physics letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

In this letter, the authors study the importance of a low temperature anneal in the removal of crystalline defects resulting from pulsed laser annealing of preamorphized ultrashallow p+ln junction. Using an additional low thermal budget rapid thermal annealing at 600 °C for 60 s, suppression of junction leakage current of two orders in a single-pulse laser annealing and one order in a ten-pulse laser annealing is achieved through a reduction of the residual crystalline defects that could not be annihilated by laser annealing. p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors with good electrical characteristics can be obtained using pulsed laser annealing followed by a low thermal budget rapid thermal annealing.

บรรณานุกรม :
Ong, K. K. , Pey, Kin Leong , Lee, Pooi See , Wee, A. T. S. , Wang, X. C. , Tung, Chih Hang , Tang, L. J. , Chong, Y. F. . (2549). Role of low temperature rapid thermal annealing in post-laser-annealed p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Ong, K. K. , Pey, Kin Leong , Lee, Pooi See , Wee, A. T. S. , Wang, X. C. , Tung, Chih Hang , Tang, L. J. , Chong, Y. F. . 2549. "Role of low temperature rapid thermal annealing in post-laser-annealed p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Ong, K. K. , Pey, Kin Leong , Lee, Pooi See , Wee, A. T. S. , Wang, X. C. , Tung, Chih Hang , Tang, L. J. , Chong, Y. F. . "Role of low temperature rapid thermal annealing in post-laser-annealed p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2549. Print.
Ong, K. K. , Pey, Kin Leong , Lee, Pooi See , Wee, A. T. S. , Wang, X. C. , Tung, Chih Hang , Tang, L. J. , Chong, Y. F. . Role of low temperature rapid thermal annealing in post-laser-annealed p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2549.