ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Effect of low fluence laser annealing on ultrathin Lu2O3 high-k dielectric

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Effect of low fluence laser annealing on ultrathin Lu2O3 high-k dielectric
นักวิจัย : Darmawan, P. , Lee, Pooi See , Setiawan, Y. , Ma, Jan , Osipowicz, T.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Materials::Microelectronics and semiconductor materials::Thin films.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2550
อ้างอิง : Darmawan, P., Lee, P. S., Setiawan, Y., Ma, J., & Osipowicz, T. (2007). Effect of low fluence laser annealing on ultrathin Lu2O3 high-k dielectric. Applied Physics Letters, 91(9). , http://hdl.handle.net/10220/8092 , http://dx.doi.org/10.1063/1.2771065
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Applied physics letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

The effect of low fluence single pulse laser annealing on a pulsed laser deposited high-k dielectric, Lu2O3 is reported. With low fluence laser irradiation, high “k” of 45 is achieved with an equivalent oxide thickness of 0.39 nm, without taking into account the quantum mechanical tunneling effect. High-resolution transmission electron microscopy micrograph revealed well-ordered epitaxial-like interfacial layer. High-resolution Rutherford backscattering confirmed the presence of Lu-based silicate layer at the interface. It was proposed that the high dielectric constant was caused by the increased ionic polarizability in the film, thereby increasing the ionic contribution of the dielectric constant.

บรรณานุกรม :
Darmawan, P. , Lee, Pooi See , Setiawan, Y. , Ma, Jan , Osipowicz, T. . (2550). Effect of low fluence laser annealing on ultrathin Lu2O3 high-k dielectric.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Darmawan, P. , Lee, Pooi See , Setiawan, Y. , Ma, Jan , Osipowicz, T. . 2550. "Effect of low fluence laser annealing on ultrathin Lu2O3 high-k dielectric".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Darmawan, P. , Lee, Pooi See , Setiawan, Y. , Ma, Jan , Osipowicz, T. . "Effect of low fluence laser annealing on ultrathin Lu2O3 high-k dielectric."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2550. Print.
Darmawan, P. , Lee, Pooi See , Setiawan, Y. , Ma, Jan , Osipowicz, T. . Effect of low fluence laser annealing on ultrathin Lu2O3 high-k dielectric. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2550.