ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Electret mechanism, hysteresis, and ambient performance of sol-gel silica gate dielectrics in pentacene field-effect transistors

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Electret mechanism, hysteresis, and ambient performance of sol-gel silica gate dielectrics in pentacene field-effect transistors
นักวิจัย : Cahyadi, Tommy , Tan, H. S. , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Lee, Pooi See , Boey, Freddy Yin Chiang , Chen, Z. K. , Ng, C. M. , Rao, V. R. , Qi, Guojun
คำค้น : DRNTU::Engineering::Materials
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2550
อ้างอิง : Cahyadi, T., Tan, H. S., Mhaisalkar, S. G., Lee, P. S., Boey, F. Y. C., Chen, Z. K., et al. (2007). Electret mechanism, hysteresis, and ambient performance of sol-gel silica gate dielectrics in pentacene field-effect transistors. Applied Physics Letters, 91(24). , http://hdl.handle.net/10220/8063 , http://dx.doi.org/10.1063/1.2821377
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Applied physics letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

The electret induced hysteresis was studied in sol-gel silica films that result in higher drain currents and improved device performance in pentacene field-effect transistors. Vacuum and ambient condition studies of the hysteresis behavior and capacitance-voltage characteristics on single layer and varying thicknesses of bilayer dielectrics confirmed that blocking layers of thermal oxide could effectively eliminate the electret induced hysteresis, and that thin (25 nm) sol-gel silica dielectrics enabled elimination of nanopores thus realizing stable device characteristics under ambient conditions.

บรรณานุกรม :
Cahyadi, Tommy , Tan, H. S. , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Lee, Pooi See , Boey, Freddy Yin Chiang , Chen, Z. K. , Ng, C. M. , Rao, V. R. , Qi, Guojun . (2550). Electret mechanism, hysteresis, and ambient performance of sol-gel silica gate dielectrics in pentacene field-effect transistors.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Cahyadi, Tommy , Tan, H. S. , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Lee, Pooi See , Boey, Freddy Yin Chiang , Chen, Z. K. , Ng, C. M. , Rao, V. R. , Qi, Guojun . 2550. "Electret mechanism, hysteresis, and ambient performance of sol-gel silica gate dielectrics in pentacene field-effect transistors".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Cahyadi, Tommy , Tan, H. S. , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Lee, Pooi See , Boey, Freddy Yin Chiang , Chen, Z. K. , Ng, C. M. , Rao, V. R. , Qi, Guojun . "Electret mechanism, hysteresis, and ambient performance of sol-gel silica gate dielectrics in pentacene field-effect transistors."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2550. Print.
Cahyadi, Tommy , Tan, H. S. , Mhaisalkar, Subodh Gautam , Lee, Pooi See , Boey, Freddy Yin Chiang , Chen, Z. K. , Ng, C. M. , Rao, V. R. , Qi, Guojun . Electret mechanism, hysteresis, and ambient performance of sol-gel silica gate dielectrics in pentacene field-effect transistors. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2550.