ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Materials and electrical characterization of Er(Si1-xGex)(2-y) films formed on Si1-xGex(001) (x=0-0.3) via rapid thermal annealing

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Materials and electrical characterization of Er(Si1-xGex)(2-y) films formed on Si1-xGex(001) (x=0-0.3) via rapid thermal annealing
นักวิจัย : Tan, Eu Jin , Pey, Kin Leong , Chi, Dong Zhi , Lee, Pooi See , Setiawan, Y. , Hoe, Keat Mun
คำค้น : DRNTU::Engineering::Materials
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2550
อ้างอิง : Tan, E. J., Pey, K. L., Chi, D. Z., Lee, P. S., Setiawan, Y., & Hoe, K. M. (2008). Materials and electrical characterization of Er(Si1-xGex)(2-y) films formed on Si1-xGex(001) (x=0-0.3) via rapid thermal annealing. Journal of the Electrochemical Society, 155(1). , http://hdl.handle.net/10220/8006 , http://dx.doi.org/10.1149/1.2800761
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Journal of the electrochemical society
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

We studied erbium germanosilicide films formed on relaxed p-type Si1−xGex(100) (x = 0–0.3) virtual substrates by conventional rapid thermal annealing (RTA) at temperatures of 500–700°C. Two dimensional X-ray diffraction and pole figure measurements revealed that the silicide films formed were epitaxial Er(Si1−xGex)2−y with orientation relationship Er(Si1−xGex)2−y(1100)- [0001]||Si1−xGex(001)[110] or Er(Si1−xGex)2−y(1100)[0001]||Si1−xGex(001)[110]. Schottky barrier height, Φ(Bp), of the Er(Si1−xGex)2−y/p − Si1−xGex(100) contact was found to decrease from 0.79 to 0.62 eV with increasing Ge (from 0 to 30%), implying a slight increase in its barrier height for electrons, Φ(Bneff), from 0.33 to 0.37 eV

บรรณานุกรม :
Tan, Eu Jin , Pey, Kin Leong , Chi, Dong Zhi , Lee, Pooi See , Setiawan, Y. , Hoe, Keat Mun . (2550). Materials and electrical characterization of Er(Si1-xGex)(2-y) films formed on Si1-xGex(001) (x=0-0.3) via rapid thermal annealing.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Tan, Eu Jin , Pey, Kin Leong , Chi, Dong Zhi , Lee, Pooi See , Setiawan, Y. , Hoe, Keat Mun . 2550. "Materials and electrical characterization of Er(Si1-xGex)(2-y) films formed on Si1-xGex(001) (x=0-0.3) via rapid thermal annealing".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Tan, Eu Jin , Pey, Kin Leong , Chi, Dong Zhi , Lee, Pooi See , Setiawan, Y. , Hoe, Keat Mun . "Materials and electrical characterization of Er(Si1-xGex)(2-y) films formed on Si1-xGex(001) (x=0-0.3) via rapid thermal annealing."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2550. Print.
Tan, Eu Jin , Pey, Kin Leong , Chi, Dong Zhi , Lee, Pooi See , Setiawan, Y. , Hoe, Keat Mun . Materials and electrical characterization of Er(Si1-xGex)(2-y) films formed on Si1-xGex(001) (x=0-0.3) via rapid thermal annealing. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2550.