ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Nickel-silicided Schottky junction CMOS transistors with gate-all-around nanowire channels

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Nickel-silicided Schottky junction CMOS transistors with gate-all-around nanowire channels
นักวิจัย : Tan, Eu Jin , Pey, Kin Leong , Singh, Navab , Lo, Guo-Qiang , Chi, Dong Zhi , Chin, Yoke King , Tang, L. J. , Lee, Pooi See , Ho, C. K. F.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Materials
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2551
อ้างอิง : Tan, E. J., Pey, K. L., Singh, N., Lo, G. Q., Chi, D. Z., Chin, Y. K., et al. (2008). Nickel-silicided Schottky Junction CMOS Transistors with Gate-all-around Nanowire Channels. IEEE Electron Device Letters, 29(8), 902-905. , http://hdl.handle.net/10220/8344 , http://dx.doi.org/10.1109/LED.2008.2000876
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : IEEE electron device letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

We demonstrate high-performance Schottky CMOS transistors with NiSi source/drain and gate-all-around (GAA) silicon nanowire (~5 nm) channels. The transistors exhibit good Ion/Ioff characteristics, along with fully controlled shortchannel effects revealed by low drain-induced barrier lowering (~10 mV/V) and near-ideal subthreshold swing (~60 mV/dec). Although the N-MOSFET required dopant segregation to suppress the ambipolar behavior, excellent P-MOSFET characteristics could be achieved without the use of barrier modification techniques. We attribute this to the Schottky barrier thinning in a nanosized metal–semiconductor junction and superior gate electrostatic control in a GAA nanowire architecture.

บรรณานุกรม :
Tan, Eu Jin , Pey, Kin Leong , Singh, Navab , Lo, Guo-Qiang , Chi, Dong Zhi , Chin, Yoke King , Tang, L. J. , Lee, Pooi See , Ho, C. K. F. . (2551). Nickel-silicided Schottky junction CMOS transistors with gate-all-around nanowire channels.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Tan, Eu Jin , Pey, Kin Leong , Singh, Navab , Lo, Guo-Qiang , Chi, Dong Zhi , Chin, Yoke King , Tang, L. J. , Lee, Pooi See , Ho, C. K. F. . 2551. "Nickel-silicided Schottky junction CMOS transistors with gate-all-around nanowire channels".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Tan, Eu Jin , Pey, Kin Leong , Singh, Navab , Lo, Guo-Qiang , Chi, Dong Zhi , Chin, Yoke King , Tang, L. J. , Lee, Pooi See , Ho, C. K. F. . "Nickel-silicided Schottky junction CMOS transistors with gate-all-around nanowire channels."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2551. Print.
Tan, Eu Jin , Pey, Kin Leong , Singh, Navab , Lo, Guo-Qiang , Chi, Dong Zhi , Chin, Yoke King , Tang, L. J. , Lee, Pooi See , Ho, C. K. F. . Nickel-silicided Schottky junction CMOS transistors with gate-all-around nanowire channels. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2551.