ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Electronic mechanism of critical temperature variation in RBa2Cu3O7−δ

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Electronic mechanism of critical temperature variation in RBa2Cu3O7−δ
นักวิจัย : Chen, Xiao Jia , Su, Haibin
คำค้น : DRNTU::Engineering::Materials::Magnetic materials.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2548
อ้างอิง : Chen, X. J., & Su, H. (2005). Electronic mechanism of critical temperature variation in RBa2Cu3O7−δ. Physical Review B, 71. , http://hdl.handle.net/10220/6929 , http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.71.094512
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Physical review B
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

We have performed systematic studies of the trend of the critical temperature Tc due to both Madelung site potential difference between in-plane oxygen and copper sites ΔVM and interlayer effect in the optimally doped 123 superconductors RBa2Cu3O7−δ. ΔVM is found to decrease with the increase of the trivalent rare-earth ionic radius rR3+. This change enhances the next-nearest-neighbor hopping integral t', which results in the experimentally observed increase of Tc with rR3+. The coherent interlayer single-particle hopping t⊥ has a more profound effect than t' on the nearly linear trend of Tc as a function of rR3+. These results reveal the importance of the electronic origin of the rare-earth ionic size effect on Tc in this family.

บรรณานุกรม :
Chen, Xiao Jia , Su, Haibin . (2548). Electronic mechanism of critical temperature variation in RBa2Cu3O7−δ.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Chen, Xiao Jia , Su, Haibin . 2548. "Electronic mechanism of critical temperature variation in RBa2Cu3O7−δ".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Chen, Xiao Jia , Su, Haibin . "Electronic mechanism of critical temperature variation in RBa2Cu3O7−δ."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2548. Print.
Chen, Xiao Jia , Su, Haibin . Electronic mechanism of critical temperature variation in RBa2Cu3O7−δ. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2548.