ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Formation of Cu diffusion channels in Ta layer of a Cu/Ta/SiO2/Si structure

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Formation of Cu diffusion channels in Ta layer of a Cu/Ta/SiO2/Si structure
นักวิจัย : Li, S. , Dong, Zhili , Maung Latt, K. , Park, H. S. , White, Timothy John
คำค้น : DRNTU::Engineering::Materials::Microelectronics and semiconductor materials.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2545
อ้างอิง : Li, S., Dong, Z. L., Maung Latt, K., Park, H. S. & White, T. (2002). Formation of Cu diffusion channels in Ta layer of a Cu/Ta/SiO2/Si structure. Applied Physics Letters, 80(13), 2296-2298. , http://hdl.handle.net/10220/6894 , http://dx.doi.org/10.1063/1.1465107
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Applied physics letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Three mechanisms for the formation of Cu diffusion channels in the Ta layer of a Cu/Ta/SiO2/Si structure are proposed. First, it is suggested that stacking faults formed during the recovery process induce localized regions of high internal energy in the Ta layer, from which Cu channels originate. Second, chemical reaction occurs at 800 °C and forms Ta4CuO11 across the Cu/Ta interface in Cu and Ta layers, which opens up channels for Cu diffusion. Third, triple junctions at the grain boundary of the Cu and Cu/Ta interface provide sites for the initiation of channel formation at 800 °C. At 950 °C, these channels in the diffusion barrier are absent, but Ta was oxidized into disordered Ta2O5 that may contain pathways for Cu diffusion.

บรรณานุกรม :
Li, S. , Dong, Zhili , Maung Latt, K. , Park, H. S. , White, Timothy John . (2545). Formation of Cu diffusion channels in Ta layer of a Cu/Ta/SiO2/Si structure.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Li, S. , Dong, Zhili , Maung Latt, K. , Park, H. S. , White, Timothy John . 2545. "Formation of Cu diffusion channels in Ta layer of a Cu/Ta/SiO2/Si structure".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Li, S. , Dong, Zhili , Maung Latt, K. , Park, H. S. , White, Timothy John . "Formation of Cu diffusion channels in Ta layer of a Cu/Ta/SiO2/Si structure."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2545. Print.
Li, S. , Dong, Zhili , Maung Latt, K. , Park, H. S. , White, Timothy John . Formation of Cu diffusion channels in Ta layer of a Cu/Ta/SiO2/Si structure. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2545.