ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Realization of two dimensional electron gas in AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si (111) by PA-MBE

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Realization of two dimensional electron gas in AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si (111) by PA-MBE
นักวิจัย : Dharmarasu, Nethaji , Radhakrishnan, K. , Sun, Z. Z. , Agrawal, M.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Materials::Microelectronics and semiconductor materials
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2554
อ้างอิง : Dharmarasu, N., Radhakrishnan, K., Sun, Z. Z., & Agrawal, M. (2011). Realization of Two Dimensional Electron Gas in AlGaN/GaN HEMT Structure Grown on Si (111) by PA-MBE. Physica Status Solidi C, 8 (7-8), 2075–2077. , http://hdl.handle.net/10220/6954 , http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201001046 , 159549
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Physica status solidi C
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

We report on the growth and characterization of AlN, GaN and AlGaN/GaN HEMT structure on 100-mm Si (111) by PA-MBE. AlN and GaN layers were grown as function of metal fluxes at a constant active nitrogen supply. Smooth surface morphology was achieved with metal rich growth conditions. Electrical properties of GaN were investigated as a function of Ga-flux. For the first time, the presence of 2DEG is demonstrated in AlGaN/GaN HEMT structure on Si (111) substrate by PA-MBE. A high electron mobility of 1100 cm2/V.sec is obtained with a sheet carrier density of 9 × 1012 cm-2.

บรรณานุกรม :
Dharmarasu, Nethaji , Radhakrishnan, K. , Sun, Z. Z. , Agrawal, M. . (2554). Realization of two dimensional electron gas in AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si (111) by PA-MBE.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Dharmarasu, Nethaji , Radhakrishnan, K. , Sun, Z. Z. , Agrawal, M. . 2554. "Realization of two dimensional electron gas in AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si (111) by PA-MBE".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Dharmarasu, Nethaji , Radhakrishnan, K. , Sun, Z. Z. , Agrawal, M. . "Realization of two dimensional electron gas in AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si (111) by PA-MBE."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2554. Print.
Dharmarasu, Nethaji , Radhakrishnan, K. , Sun, Z. Z. , Agrawal, M. . Realization of two dimensional electron gas in AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si (111) by PA-MBE. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2554.