ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Simulation of flash memory characteristics based on discrete nanoscale silicon

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Simulation of flash memory characteristics based on discrete nanoscale silicon
นักวิจัย : Wong, Jen It , Yang, Ming , New, C. L. , Khor, T. S. , Chen, Tupei , Ng, Chi Yung
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2549
อ้างอิง : http://hdl.handle.net/10220/6910 , http://dx.doi.org/10.1109/SMELEC.2006.380727
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

In this paper, we present a simulation study on the trapping properties of flash memory device based on discrete nanoscale silicon embedded in silicon-dioxide (SiO2). Taurus Suprem-4 and Taurus Medici are being used to carry out the simulations. The memory structure with a tunnel oxide of 3, 5 and 9 nm and a control oxide of 10, 20 and 40 nm have been simulated, respectively. The discrete nanoscale silicon with the size of 20 nm times 20 nm, 10 nm times 10 nm, and 5 nm times 5 nm have also been simulated, respectively.

บรรณานุกรม :
Wong, Jen It , Yang, Ming , New, C. L. , Khor, T. S. , Chen, Tupei , Ng, Chi Yung . (2549). Simulation of flash memory characteristics based on discrete nanoscale silicon.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Wong, Jen It , Yang, Ming , New, C. L. , Khor, T. S. , Chen, Tupei , Ng, Chi Yung . 2549. "Simulation of flash memory characteristics based on discrete nanoscale silicon".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Wong, Jen It , Yang, Ming , New, C. L. , Khor, T. S. , Chen, Tupei , Ng, Chi Yung . "Simulation of flash memory characteristics based on discrete nanoscale silicon."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2549. Print.
Wong, Jen It , Yang, Ming , New, C. L. , Khor, T. S. , Chen, Tupei , Ng, Chi Yung . Simulation of flash memory characteristics based on discrete nanoscale silicon. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2549.