ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Halftoning band gap of InAs/InP quantum dots using inductively coupled argon plasma-enhanced intermixing

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Halftoning band gap of InAs/InP quantum dots using inductively coupled argon plasma-enhanced intermixing
นักวิจัย : Xu, C. D. , Mei, Ting , Nie, Dong , Dong, Jian Rong
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Electronic apparatus and materials
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2549
อ้างอิง : Xu, C. D., Mei, T., Nie, D., & Dong J. R. (2006). Halftoning band gap of InAs/InP quantum dots using inductively coupled argon plasma-enhanced intermixing. Applied Physics Letters, 89, 1-3. , 0003-6951 , http://hdl.handle.net/10220/6409 , http://dx.doi.org/10.1063/1.2357563
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Applied physics letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Inductively coupled argon plasma-enhanced intermixing of InAs/InP quantum dots grown on InP substrate is investigated. Intermixing is promoted by the near-surface defects generated by plasma exposure in annealing at a temperature of 600  degrees celcius for 30 s. The annealing results in a maximum differential band-gap blueshift of 106 nm but a thermal shift of only 10 nm. Band-gap halftones are obtained by controlling the amount of near-surface defects via wet chemical etching on the plasma-exposed InP cap layer. No degradation of quantum-dot crystal quality due to the process has been observed as evidenced by photoluminescence intensity.

บรรณานุกรม :
Xu, C. D. , Mei, Ting , Nie, Dong , Dong, Jian Rong . (2549). Halftoning band gap of InAs/InP quantum dots using inductively coupled argon plasma-enhanced intermixing.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Xu, C. D. , Mei, Ting , Nie, Dong , Dong, Jian Rong . 2549. "Halftoning band gap of InAs/InP quantum dots using inductively coupled argon plasma-enhanced intermixing".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Xu, C. D. , Mei, Ting , Nie, Dong , Dong, Jian Rong . "Halftoning band gap of InAs/InP quantum dots using inductively coupled argon plasma-enhanced intermixing."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2549. Print.
Xu, C. D. , Mei, Ting , Nie, Dong , Dong, Jian Rong . Halftoning band gap of InAs/InP quantum dots using inductively coupled argon plasma-enhanced intermixing. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2549.