ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Memory effect of Al-rich AlN films synthesized with rf magnetron sputtering

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Memory effect of Al-rich AlN films synthesized with rf magnetron sputtering
นักวิจัย : Zhao, P. , Liu, Yang , Chen, Tupei , Zhang, Sam , Fu, Yong Qing , Fung, Stevenson Hon Yuen
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Semiconductors.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2548
อ้างอิง : Zhao, P., Liu, Y., Chen, T. P., Zhang, S., Fu, Y. Q., & Fung, S. H. Y. (2005). Memory effect of Al-rich AlN films synthesized with rf magnetron sputtering. Applied Physics Letters 87, 1-3. , 0003-6951 , http://hdl.handle.net/10220/6357 , http://dx.doi.org/10.1063/1.2000337
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Applied physics letters
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Al-rich AlN thin film, which is deposited onto n-type Si substrate by radio frequency sputtering of Al target in an argon and Nitrogen gas mixture, can exhibit a large memory effect as a result of charge trapping in the Al nanoparticles/nanoclusters embedded in the AlN matrix. For the metal-insulator-semiconductor structure with a 60 nm Al-rich AlN thin film, a voltage of −15 V applied to the metal electrode for 10^−6 s causes a flatband voltage shift of ∼ 1.5 V. Both electron trapping and hole trapping are possible, depending on the polarity of the applied voltage. In addition, whether the electron trapping or the hole trapping is the dominant process also depends on the charging time and the magnitude of the voltage. The Al-rich AlN thin films provide the possibility of memory applications with low cost.

บรรณานุกรม :
Zhao, P. , Liu, Yang , Chen, Tupei , Zhang, Sam , Fu, Yong Qing , Fung, Stevenson Hon Yuen . (2548). Memory effect of Al-rich AlN films synthesized with rf magnetron sputtering.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Zhao, P. , Liu, Yang , Chen, Tupei , Zhang, Sam , Fu, Yong Qing , Fung, Stevenson Hon Yuen . 2548. "Memory effect of Al-rich AlN films synthesized with rf magnetron sputtering".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Zhao, P. , Liu, Yang , Chen, Tupei , Zhang, Sam , Fu, Yong Qing , Fung, Stevenson Hon Yuen . "Memory effect of Al-rich AlN films synthesized with rf magnetron sputtering."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2548. Print.
Zhao, P. , Liu, Yang , Chen, Tupei , Zhang, Sam , Fu, Yong Qing , Fung, Stevenson Hon Yuen . Memory effect of Al-rich AlN films synthesized with rf magnetron sputtering. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2548.