ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

A 1.2-V 1.5-Gb/s 72-Mb DDR3 SRAM

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : A 1.2-V 1.5-Gb/s 72-Mb DDR3 SRAM
นักวิจัย : Cho, Uk Rae , Kim, Tony Tae-Hyoung , Yoon, Yong-Jin , Lee, Jong Cheol , Bae, Dae Gi , Kim, Nam Seog , Kim, Kang Young , Son, Young Jae , Yang, Jeong Suk , Sohn, Kwon Il , Kim, Sung Tae , Lee, In Yeol , Lee, Kwang Jin , Kang, Tae Gyoung , Kim, Su Chul , Ahn, Kee Sik , Byun, Hyun Geun
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Electronic circuits.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2546
อ้างอิง : Cho, U. R., Kim, T. H., Yoon, Y. J., Lee, J. C., Bae, D. G., Kim, N. S., et al. (2003). A 1.2-V 1.5-Gb/s 72-Mb DDR3 SRAM. IEEE Journal of Solid State Circuits, 38(11), 1943-1951. , 0018-9200 , http://hdl.handle.net/10220/6438 , http://dx.doi.org/10.1109/JSSC.2003.818137
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : IEEE journal of solid state circuits
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

A 1.2-V 72-Mb double data rate 3 (DDR3) SRAM achieves a data rate of 1.5 Gb/s using dynamic self-resetting circuits [5]. Single-ended main data lines halve the data line precharging power dissipation and the number of data lines. Clocks phase shifted by 0 , 90 , and 270 are generated through the proposed clock adjustment circuits. The proposed clock adjustment circuits make input data sampled with optimized setup/hold window. On-chip input termination with the linearity error of 4.1% is developed to improve signal integrity at higher data rates. A 1.2-V 1.5-Gb/s 72-Mb DDR3 SRAM is fabricated in a 0.10- m CMOS process with five metals. The cell size and the chip size are 0.845 m2 and 151.1 mm2, respectively.

บรรณานุกรม :
Cho, Uk Rae , Kim, Tony Tae-Hyoung , Yoon, Yong-Jin , Lee, Jong Cheol , Bae, Dae Gi , Kim, Nam Seog , Kim, Kang Young , Son, Young Jae , Yang, Jeong Suk , Sohn, Kwon Il , Kim, Sung Tae , Lee, In Yeol , Lee, Kwang Jin , Kang, Tae Gyoung , Kim, Su Chul , Ahn, Kee Sik , Byun, Hyun Geun . (2546). A 1.2-V 1.5-Gb/s 72-Mb DDR3 SRAM.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Cho, Uk Rae , Kim, Tony Tae-Hyoung , Yoon, Yong-Jin , Lee, Jong Cheol , Bae, Dae Gi , Kim, Nam Seog , Kim, Kang Young , Son, Young Jae , Yang, Jeong Suk , Sohn, Kwon Il , Kim, Sung Tae , Lee, In Yeol , Lee, Kwang Jin , Kang, Tae Gyoung , Kim, Su Chul , Ahn, Kee Sik , Byun, Hyun Geun . 2546. "A 1.2-V 1.5-Gb/s 72-Mb DDR3 SRAM".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Cho, Uk Rae , Kim, Tony Tae-Hyoung , Yoon, Yong-Jin , Lee, Jong Cheol , Bae, Dae Gi , Kim, Nam Seog , Kim, Kang Young , Son, Young Jae , Yang, Jeong Suk , Sohn, Kwon Il , Kim, Sung Tae , Lee, In Yeol , Lee, Kwang Jin , Kang, Tae Gyoung , Kim, Su Chul , Ahn, Kee Sik , Byun, Hyun Geun . "A 1.2-V 1.5-Gb/s 72-Mb DDR3 SRAM."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2546. Print.