ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

A voltage scalable 0.26 V, 64 kb 8T SRAM with Vmin lowering techniques and deep sleep mode.

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : A voltage scalable 0.26 V, 64 kb 8T SRAM with Vmin lowering techniques and deep sleep mode.
นักวิจัย : Kim, Tony Tae-Hyoung. , Liu, Jason. , Kim, Chris H.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Computer hardware, software and systems.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2552
อ้างอิง : Kim, T. H., Liu, J., & Kim, C. H. (2009). A voltage scalable 0.26 V, 64 kb 8T SRAM with Vmin lowering techniques and deep sleep mode. IEEE Journal of Solid State Circuits. 44(6), 1785-1795. , 0018-9200 , http://hdl.handle.net/10220/6309 , http://dx.doi.org/10.1109/JSSC.2009.2020201
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : IEEE journal of solid state circuits
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

A voltage scalable 0.26 V, 64 kb 8T SRAM with 512 cells per bitline is implemented in a 130 nm CMOS process. Utilization of the reverse short channel effect in a SRAM cell design improves cell write margin and read performance without the aid of peripheral circuits. A marginal bitline leakage compensation (MBLC) scheme compensates for the bitline leakage current which becomes comparable to a read current at subthreshold supply voltages. The MBLC allows us to lower Vmin to 0.26 V and also eliminates the need for precharged read bitlines. A floating read bitline and write bitline scheme reduces the leakage power consumption. A deep sleep mode minimizes the standby leakage power consumption without compromising the hold mode cell stability. Finally, an automatic wordline pulse width control circuit tracks PVT variations and shuts off the bitline leakage current upon completion of a read operation.

บรรณานุกรม :
Kim, Tony Tae-Hyoung. , Liu, Jason. , Kim, Chris H. . (2552). A voltage scalable 0.26 V, 64 kb 8T SRAM with Vmin lowering techniques and deep sleep mode..
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Kim, Tony Tae-Hyoung. , Liu, Jason. , Kim, Chris H. . 2552. "A voltage scalable 0.26 V, 64 kb 8T SRAM with Vmin lowering techniques and deep sleep mode.".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Kim, Tony Tae-Hyoung. , Liu, Jason. , Kim, Chris H. . "A voltage scalable 0.26 V, 64 kb 8T SRAM with Vmin lowering techniques and deep sleep mode.."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2552. Print.
Kim, Tony Tae-Hyoung. , Liu, Jason. , Kim, Chris H. . A voltage scalable 0.26 V, 64 kb 8T SRAM with Vmin lowering techniques and deep sleep mode.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2552.