ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

A 0.2 V, 480 kb subthreshold SRAM with 1 k cells per bitline for ultra-low-voltage computing.

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : A 0.2 V, 480 kb subthreshold SRAM with 1 k cells per bitline for ultra-low-voltage computing.
นักวิจัย : Kim, Tony Tae-Hyoung. , Liu, Jason. , Keane, John. , Kim, Chris H.
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Computer hardware, software and systems.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2551
อ้างอิง : Kim. T. H., Liu, J., Keane, J., & Kim, C. H. (2008). A 0.2 V, 480 kb subthreshold SRAM with 1 k cells per bitline for ultra-low-voltage computing. IEEE Journal of Solid State Circuits. 43(2), 518-529. , 0018-9200 , http://hdl.handle.net/10220/6332 , http://dx.doi.org/10.1109/JSSC.2007.914328
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : IEEE journal of solid state circuits
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

A 2 W, 100 kHz, 480 kb subthreshold SRAM operating at 0.2 V is demonstrated in a 130 nm CMOS process. A 10-T SRAM cell allows 1 k cells per bitline by eliminating the data-dependent bitline leakage. A virtual ground replica scheme is proposed for logic “0” level tracking and optimal sensing margin in read buffers. Utilizing the strong reverse short channel effect in the subthreshold region improves cell writability and row decoder performance due to the increased current drivability at a longer channel length. The sizing method leads to an equivalent write wordline voltage boost of 70 mV and a delay improvement of 28% in the row decoder compared to the conventional sizing scheme at 0.2 V. A bitline writeback scheme was used to eliminate the pseudo-write problem in unselected columns.

บรรณานุกรม :
Kim, Tony Tae-Hyoung. , Liu, Jason. , Keane, John. , Kim, Chris H. . (2551). A 0.2 V, 480 kb subthreshold SRAM with 1 k cells per bitline for ultra-low-voltage computing..
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Kim, Tony Tae-Hyoung. , Liu, Jason. , Keane, John. , Kim, Chris H. . 2551. "A 0.2 V, 480 kb subthreshold SRAM with 1 k cells per bitline for ultra-low-voltage computing.".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Kim, Tony Tae-Hyoung. , Liu, Jason. , Keane, John. , Kim, Chris H. . "A 0.2 V, 480 kb subthreshold SRAM with 1 k cells per bitline for ultra-low-voltage computing.."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2551. Print.
Kim, Tony Tae-Hyoung. , Liu, Jason. , Keane, John. , Kim, Chris H. . A 0.2 V, 480 kb subthreshold SRAM with 1 k cells per bitline for ultra-low-voltage computing.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2551.