ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Thermal quenching mechanism of photoluminescence in 1.55 mu m GaInNAsSb/Ga(N)As quantum-well structures

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Thermal quenching mechanism of photoluminescence in 1.55 mu m GaInNAsSb/Ga(N)As quantum-well structures
นักวิจัย : Sun, Handong , Calvez, Stephane , Dawson, M. D. , Gupta, J. A. , Aers, G. C. , Sproule, G. I.
คำค้น : DRNTU::Science::Physics::Optics and light.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2549
อ้างอิง : Sun, H. D., Calvez, S., Dawson, M. D., Gupta, J. A., Aers, G. C., & Sproule, G. I. (2006). Thermal quenching mechanism of photoluminescence in 1.55 mm GaInNAsSb /Ga(N)As quantum-well structures. Applied Physics Letters, 89(10), 1-3. , 0003-6951 , http://hdl.handle.net/10220/6057 , http://sfxna09.hosted.exlibrisgroup.com:3410/ntu/sfxlcl3?sid=metalib:ELSEVIER_SCOPUS&id=doi:&genre=&isbn=&issn=&date=2006&volume=89&issue=10&spage=&epage=&aulast=Sun&aufirst=%20H%20D&auinit=&title=Applied%20Physics%20Letters&atitle=Thermal%20quenching%20mechanism%20of%20photoluminescence%20in%201%2E55%20%CE%BCm%20GalnNAsSb%2FGa%28N%29As%20quantum%2Dwell%20structures&sici. , http://dx.doi.org/10.1063/1.2345240
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : Applied Physics Letters.
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

The authors report the temperature dependent photoluminescence characteristics of a series of GaInNAsSb/Ga(N)As double quantum wells which all emit at 1.5-1.55 mu m at room temperature and whose design is such that the quantum wells have nominally identical valence band profiles but show different confinement depth in the conduction band. The photoluminescence quenching at high temperature demonstrates a thermal activation energy independent of the conduction band offset and can be most plausibly attributed to the unipolar thermalization of holes from the quantum wells to the barriers. This effect will intrinsically limit the flexibility of heterostructure design using GaInNAs(Sb), as it would for any other material system with small valence band offset. (c) 2006 American Institute of Physics.

บรรณานุกรม :
Sun, Handong , Calvez, Stephane , Dawson, M. D. , Gupta, J. A. , Aers, G. C. , Sproule, G. I. . (2549). Thermal quenching mechanism of photoluminescence in 1.55 mu m GaInNAsSb/Ga(N)As quantum-well structures.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Sun, Handong , Calvez, Stephane , Dawson, M. D. , Gupta, J. A. , Aers, G. C. , Sproule, G. I. . 2549. "Thermal quenching mechanism of photoluminescence in 1.55 mu m GaInNAsSb/Ga(N)As quantum-well structures".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Sun, Handong , Calvez, Stephane , Dawson, M. D. , Gupta, J. A. , Aers, G. C. , Sproule, G. I. . "Thermal quenching mechanism of photoluminescence in 1.55 mu m GaInNAsSb/Ga(N)As quantum-well structures."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2549. Print.
Sun, Handong , Calvez, Stephane , Dawson, M. D. , Gupta, J. A. , Aers, G. C. , Sproule, G. I. . Thermal quenching mechanism of photoluminescence in 1.55 mu m GaInNAsSb/Ga(N)As quantum-well structures. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2549.