ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Novel RF process monitoring test structure for silicon devices.

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Novel RF process monitoring test structure for silicon devices.
นักวิจัย : Sia, Choon Beng , Ong, Beng Hwee , Lim, Kok Meng , Yeo, Kiat Seng , Do, Manh Anh , Ma, Jianguo , Alam, Tariq
คำค้น : -
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2548
อ้างอิง : Sia, C. B., Ong, B. H., Lim, K. M., Yeo, K. S., Do, M. A., Ma, J. G., et al. (2005). Novel RF process monitoring test structure for silicon devices. IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 18(2), 246-253. , 0894-6507 , http://hdl.handle.net/10220/5990 , http://dx.doi.org/10.1109/TSM.2005.845095
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : IEEE transactions on semiconductor manufacturing
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

This paper demonstrates a novel RFCMOS process monitoring test structure. Outstanding agreement in dc and radio frequency (RF) characteristics has been observed between conventional test structure and the new process monitoring test structure for MOSFET with good correlations in measured capacitances also noted for metal-insulator-metal capacitor and MOS varactor. Possible process monitoring test structure is also suggested as a reference benchmarking indicator for interconnects.

บรรณานุกรม :
Sia, Choon Beng , Ong, Beng Hwee , Lim, Kok Meng , Yeo, Kiat Seng , Do, Manh Anh , Ma, Jianguo , Alam, Tariq . (2548). Novel RF process monitoring test structure for silicon devices..
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Sia, Choon Beng , Ong, Beng Hwee , Lim, Kok Meng , Yeo, Kiat Seng , Do, Manh Anh , Ma, Jianguo , Alam, Tariq . 2548. "Novel RF process monitoring test structure for silicon devices.".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Sia, Choon Beng , Ong, Beng Hwee , Lim, Kok Meng , Yeo, Kiat Seng , Do, Manh Anh , Ma, Jianguo , Alam, Tariq . "Novel RF process monitoring test structure for silicon devices.."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2548. Print.
Sia, Choon Beng , Ong, Beng Hwee , Lim, Kok Meng , Yeo, Kiat Seng , Do, Manh Anh , Ma, Jianguo , Alam, Tariq . Novel RF process monitoring test structure for silicon devices.. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2548.