ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Broad-band design techniques for transimpedance amplifiers

หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Broad-band design techniques for transimpedance amplifiers
นักวิจัย : Lu, Zhenghao , Yeo, Kiat Seng , Ma, Jianguo , Do, Manh Anh , Lim, Wei Meng , Chen, Xueying
คำค้น : DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Electronic circuits.
หน่วยงาน : Nanyang Technological University, Singapore
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2550
อ้างอิง : Lu, Z., Yeo, K. S., Ma, J., Do, M. A., Lim, W. M., & Chen, X. (2007). Broad-band design techniques for transimpedance amplifiers. IEEE Transactions on Circuits and Systems I, 54(3), 590-600. , 1549-8328 , http://hdl.handle.net/10220/4566 , http://dx.doi.org/10.1109/TCSI.2006.887610
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : IEEE transactions on circuits and systems I
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

In this paper, a novel bandwidth enhancement technique based on the combination of capacitive degeneration, broad-band matching network, and the regulated cascode (RGC) input stage is proposed and analyzed, which turns the transimpedance amplifier (TIA) design into a fifth-order low-pass filter with Butterworth response. This broad-band design methodology for TIAs is presented with an example implemented in CHRT 0.18-mum 1.8-V RF CMOS technology. Measurement data shows a -3-dB bandwidth of about 8 GHz with 0.25-pF photodiode capacitance. Comparing with the core RGC TIA without capacitive degeneration and broad-band matching network, this design achieves an overall bandwidth enhancement ratio of 3.6 with very small gain ripple. The transimpedance gain is 53 dBOmega with a group delay of 80plusmn20 ps. The chip consumes only 13.5-mW dc power and the measured average input-referred noise current spectral density is 18 pA/radicHz up to 10 GHz.

บรรณานุกรม :
Lu, Zhenghao , Yeo, Kiat Seng , Ma, Jianguo , Do, Manh Anh , Lim, Wei Meng , Chen, Xueying . (2550). Broad-band design techniques for transimpedance amplifiers.
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Lu, Zhenghao , Yeo, Kiat Seng , Ma, Jianguo , Do, Manh Anh , Lim, Wei Meng , Chen, Xueying . 2550. "Broad-band design techniques for transimpedance amplifiers".
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore.
Lu, Zhenghao , Yeo, Kiat Seng , Ma, Jianguo , Do, Manh Anh , Lim, Wei Meng , Chen, Xueying . "Broad-band design techniques for transimpedance amplifiers."
    กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore, 2550. Print.
Lu, Zhenghao , Yeo, Kiat Seng , Ma, Jianguo , Do, Manh Anh , Lim, Wei Meng , Chen, Xueying . Broad-band design techniques for transimpedance amplifiers. กรุงเทพมหานคร : Nanyang Technological University, Singapore; 2550.