ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

กอบวุฒิ รุจิจนากุล

หน่วยงาน สำนักงานกองทุนสนับสนุนการวิจัย

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : กอบวุฒิ รุจิจนากุล
นักวิจัย : กอบวุฒิ รุจิจนากุล
คำค้น : BaTiO3 , capacitor , Precipitation , คาปาซิเตอร์
หน่วยงาน : สำนักงานกองทุนสนับสนุนการวิจัย
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2554
อ้างอิง : http://elibrary.trf.or.th/project_content.asp?PJID=PDF4180030 , http://research.trf.or.th/node/573
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

วัตถุประสงค์ : 1. เพื่อเตรียมแบเรียมติตาเนตผงละเอียดและตรวจสอบคุณสมบัติของสารที่เตรียมได้ 2. ศึกษาผลของการโด๊ปที่มีต่อคุณสมบัติไดอิเล็กตริกของ BaTiO3 3. เตรียม BaTiO3 เพื่อนำมาใช้เป็นคาปาซิเตอร์ วิธีการทดลอง : ในงานวิจัยนี้สามารถแบ่งเป็น 2 ส่วนคือ ในส่วนที่ 1 ได้เตรียมแบเรียมติตาเนตโดยวิธีตกตะกอน และทำการตรวจสอบ คุณสมบัติต่างๆ ของแบเรียมติตาเนตที่เตรียมขึ้น โดยโครงสร้างทางจุลภาคจะศึกษาโดย SEM นอกจากนั้นแล้วสมบัติไดอิเล็กตริกของแบเรียมติตาเนตที่โด๊ปด้วย 0.8, 0.2 และ 0.5 mol% ของ Dy2O3 จะให้ค่าคงที่ไดอิเล็กตริกเท่ากับ 4000, 3600 และ 3300 ตามลำดับ. ในส่วนที่ 2 ได้ทำการศึกษาผลของโด๊ป ตัวโด๊ปเช่น Nb, Ni, Ta และ Sn และ เงื่อนไขการซินเตอร์ที่มีต่อคุณสมบัติไดอิเล็กตริกของแบเรียมติตาเนตที่เตรียมโดยวิธี mixed oxide ผลลัพธ์ที่ได้ : 1. ขนาดของอนุภาคของผงแบเรียมติตาเนตที่เตรียมจากวิธีการตกตะกอนอยู่ ในระดับนาโนเมตร ขนาดอนุภาคใหญ่ขึ้นเมื่ออุณหภูมิการแคลไซน์สูงขึ้น และคาปาซิเตอร์ที่ สร้างจาก BaTiO3 โด๊ปด้วย Dy2O3 ด้วยปริมาณ 0.8, 2.0 และ 5.0 mol จะให้ค่าคงไดอิเล็กตริก 4,000, 3,600 และ 3,300 ตามลำดับ 2. คุณสมบัติไดอิเล็กตริกของ BaTiO3 ที่โด๊ปด้วย Sn จะขึ้นกับอุณหภูมิและ เวลาของการซินเตอร์ สรุป : จากการเปรียบเทียบคุณสมบัติไดอิเล็กตริกของแบเรียมติตาเนตเซรามิกที่โด๊ปด้วย Dy และคาปาซิเตอร์ที่ได้จากโรงงาน พบว่าเซรามิกที่ผู้วิจัยเตรียมได้สามารถนำมาใช้งานเป็นคาปา ซิเตอร์ได้ ข้อแนะนำและงานในอนาคต 1. สาร TiCl4 ซึ่งเป็นสารตั้งต้นของการทดลองนี้มีอันตรายมาก จึงน่าจะหาสารอื่นมาใช้แทน ในการทดลองต่อไป 2. ในการที่จะปรับปรุง Tc ของ BaTiO3 ที่โด๊ปด้วย Sn ควรจะมีการเปลี่ยนปริมาณ Sn ที่ใช้ ด้วย Objectives : 1. To prepare fine powder of BaTiO3 and to characterize its properties. 2. To study the effect of doping on dielectric properties of BaTiO3 3. To prepare BaTiO3 for use in capacitors. Methodology : This research is divided into two main parts In part I, barium titanate powder was prepared by precipitation method. The measurement of physical properties of the powder were carried out. Microstructure of the powder was studied by electron microscopy. Furthermore, the dielectric properties of barium titanate doped with 0.8-5.0 mol percent of Dy2O3 were studied. In part II, effect of dopant such as Nb, Ni, Ta and Sn and sintering conditions on the dielectric properties of BaTiO3 prepared from mixed oxides method were studied. Results : 1. The particle size of BaTiO3 powder prepared from precipitation method is in nanometer order. The particle size increases with increasing calcining temperature. The capacitor made from BaTiO3 doped with 0.8, 0.2 and 5.0 mol percent of Dy2O3 gave the dielectric constant of 4,000, 3,600 and 3,300 respectively. 2. Dielectric properties of BaTiO3 doped with Sn depends on the sintering temperature and the sintering time. Discussion Conclusion : By comparing the dielectric properties of Dy doped Barium titanate ceramics prepared from precipitation method and the properties of the capacitors from industrial, it can be concluded that the Dy doped Barium titanate ceramics can be use as a capacitors. Suggestions / Further Implication / Implementation : 1. TiCl4 is a dangerous starting material for preparation BaTiO3, other starting materials should be considered to prepare BaTiO3 2. Changing the Tc of BaTiO3 doped with various percents of Sn should be studied.

บรรณานุกรม :
กอบวุฒิ รุจิจนากุล . (2554). กอบวุฒิ รุจิจนากุล.
    กรุงเทพมหานคร : สำนักงานกองทุนสนับสนุนการวิจัย.
กอบวุฒิ รุจิจนากุล . 2554. "กอบวุฒิ รุจิจนากุล".
    กรุงเทพมหานคร : สำนักงานกองทุนสนับสนุนการวิจัย.
กอบวุฒิ รุจิจนากุล . "กอบวุฒิ รุจิจนากุล."
    กรุงเทพมหานคร : สำนักงานกองทุนสนับสนุนการวิจัย, 2554. Print.
กอบวุฒิ รุจิจนากุล . กอบวุฒิ รุจิจนากุล. กรุงเทพมหานคร : สำนักงานกองทุนสนับสนุนการวิจัย; 2554.