ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน

หน่วยงาน จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน
นักวิจัย : ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล, 2522-
คำค้น : ควอนตัมดอต , สารกึ่งตัวนำ , แกลเลียมอาร์เซไนด์ , การปลูกผลึกอิมพิแทกซีจากลำโมเลกุล
หน่วยงาน : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ผู้ร่วมงาน : ทรงพล กาญจนชูชัย , จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
ปีพิมพ์ : 2547
อ้างอิง : 9741766734 , http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/1506
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

วิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2547

ศึกษาผลของควอนตัมดอตชนิดอินเดียมอาร์เซไนด์ (InAs QDs) ที่มีต่อความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นแกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs) อินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอตถูกฝังเข้าไปในชั้นแกลเลียมอาร์เซไนด์ โดยวิธีการปลูกผลึกด้วยลำโมเลกุลลักษณะและขนาดทางกายภาพ ของควอนตัมดอตถูกวัดโดยวิธี TEM และ AFM ในขณะที่การวัดความคล่องตัวของอิเล็กตรอน และความเข้มข้นของอิเล็กตรอนกระทำโดยวิธี van der Puaw ผลการวัดความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้น GaAs ชี้ให้เห็นว่าเมื่อจำนวนชั้นของ InAs QDs เพิ่มขึ้น ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนลดลงในขณะที่ความเข้มข้นของอิเล็กตรอนเพิ่มขึ้น สาเหตุที่ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนลดลงเกิดจากการกระเจิงอิเล็กตรอนโดย InAs QDs ซึ่งเปรียบเสมือนเสี้ยวทรงกลมที่นำไฟฟ้าได้ดี และสาเหตุที่ความเข้มข้นของอิเล็กตรอนเพิ่มขึ้น เกิดจากการเพิ่มขึ้นของปริมาตรรวมจากการฝังชั้น InAs QDs เข้าไปในชั้นของ GaAs และเนื่องจาก InAs นั้นมีอิเล็กตรอนอิสระมากกว่า GaAs ที่อุณหภูมิเดียวกัน

บรรณานุกรม :
ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล, 2522- . (2547). ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน.
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล, 2522- . 2547. "ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน".
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล, 2522- . "ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน."
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2547. Print.
ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล, 2522- . ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน. กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; 2547.