ชื่อเรื่อง | : | ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน |
นักวิจัย | : | ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล, 2522- |
คำค้น | : | ควอนตัมดอต , สารกึ่งตัวนำ , แกลเลียมอาร์เซไนด์ , การปลูกผลึกอิมพิแทกซีจากลำโมเลกุล |
หน่วยงาน | : | จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย |
ผู้ร่วมงาน | : | ทรงพล กาญจนชูชัย , จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์ |
ปีพิมพ์ | : | 2547 |
อ้างอิง | : | 9741766734 , http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/1506 |
ที่มา | : | - |
ความเชี่ยวชาญ | : | - |
ความสัมพันธ์ | : | - |
ขอบเขตของเนื้อหา | : | - |
บทคัดย่อ/คำอธิบาย | : | วิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2547 ศึกษาผลของควอนตัมดอตชนิดอินเดียมอาร์เซไนด์ (InAs QDs) ที่มีต่อความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นแกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs) อินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอตถูกฝังเข้าไปในชั้นแกลเลียมอาร์เซไนด์ โดยวิธีการปลูกผลึกด้วยลำโมเลกุลลักษณะและขนาดทางกายภาพ ของควอนตัมดอตถูกวัดโดยวิธี TEM และ AFM ในขณะที่การวัดความคล่องตัวของอิเล็กตรอน และความเข้มข้นของอิเล็กตรอนกระทำโดยวิธี van der Puaw ผลการวัดความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้น GaAs ชี้ให้เห็นว่าเมื่อจำนวนชั้นของ InAs QDs เพิ่มขึ้น ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนลดลงในขณะที่ความเข้มข้นของอิเล็กตรอนเพิ่มขึ้น สาเหตุที่ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนลดลงเกิดจากการกระเจิงอิเล็กตรอนโดย InAs QDs ซึ่งเปรียบเสมือนเสี้ยวทรงกลมที่นำไฟฟ้าได้ดี และสาเหตุที่ความเข้มข้นของอิเล็กตรอนเพิ่มขึ้น เกิดจากการเพิ่มขึ้นของปริมาตรรวมจากการฝังชั้น InAs QDs เข้าไปในชั้นของ GaAs และเนื่องจาก InAs นั้นมีอิเล็กตรอนอิสระมากกว่า GaAs ที่อุณหภูมิเดียวกัน |
บรรณานุกรม | : |
ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล, 2522- . (2547). ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน.
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล, 2522- . 2547. "ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน".
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล, 2522- . "ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน."
กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2547. Print. ธีรศักดิ์ ปัญญาวานิชกุล, 2522- . ความคล่องตัวของอิเล็กตรอนในชั้นฟิล์มบางของ n-GaAs ที่มี QDs ฝังตัวอยู่ข้างใน. กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; 2547.
|