ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การปลูกชั้นอิพิแทกซีอินเดียมอาร์เซไนด์บนแผ่นฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์โดยวิธีปลูกผลึกจากลำโมเลกุล

หน่วยงาน จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : การปลูกชั้นอิพิแทกซีอินเดียมอาร์เซไนด์บนแผ่นฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์โดยวิธีปลูกผลึกจากลำโมเลกุล
นักวิจัย : ไมตรี ไพศาลภาณุมาศ, 2521-
คำค้น : อินเดียมอาร์เซไนด์ , แกลเลียมอาร์เซไนด์ , การปลูกผลึกอิพิแทกซีจากลำโมเลกุล
หน่วยงาน : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ผู้ร่วมงาน : สมชัย รัตนธรรมพันธ์ , จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
ปีพิมพ์ : 2545
อ้างอิง : 9741727704 , http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/1304
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

วิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2545

วิทยานิพนธ์ฉบับนี้ เป็นการศึกษาเงื่อนไขการปลูกผลึกอิพิแทกซีอินเดียมอาร์เซไนด์บนแผ่นฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์ โดยวิธีการปลูกผลึกจากลำโมเลกุล และตรวจสอบคุณภาพของผลึก โดยใช้ Optical Microscope, SEM, RHEED, และวัดคุณสมบัติทางไฟฟ้าด้วยวิธี van der Pauw โดยทำการศึกษาอิทธิพลของอุณหภูมิแผ่นฐาน อัตราส่วนความดันไอของอาร์เซนิกต่ออินเดียมและอัตราการปลูกผลึก ผลจากการทดลองพบว่าการปลูกผลึกอิพิแทกซีอินเดียมอาร์เซไนด์โดยไม่เติมสารเจือ ผลึกที่ได้เป็นชนิดเอ็น ซึ่งมีความหนาแน่นของประจุพาหะอยู่ในช่วง 8x10x10x10x10x10x10x10x10x10x10x10x10x10x10x10 cm -3 ถึง 8x10x10x10x10x10x10x10x10x10x10x10x10x10x10x10x10 cm -3 และค่าความคล่องตัวของประจุพาหะ ขึ้นอยูกับเงื่อนไขการปลูก ในการทดลองพบว่าอุณหภูมิแผ่นฐานที่เหมาะสมที่สุดอยู่ที่ 480 องศาเซลเซียส ที่อุณหภูมินี้จะได้ทั้งคุณภาพของผลึกที่ดีทั้งคุณสมบัติทางไฟฟ้า และผิวหน้าที่ราบเรียบ สำหรับการทดลองหาเงื่อนไขอัตราส่วนความดันไอของอาร์เซนิกต่ออินเดียม พบว่าช่วงที่เหมาะสมอยู่ที่ 22-32 เท่า และอัตราความเร็วในการปลูกที่สามารถปลูกได้ คือ 0.34-0.48 ML/s แต่ค่าที่เหมาะสมอยู่ที่ 0.4 ML/s ซึ่งค่านี้จะได้ทั้งผิวหน้าที่ราบเรียบ และค่าความคล่องตัวที่สูงที่สุดประมาณ 8,000 cm2/V-s ที่ความหนา 1 mum

บรรณานุกรม :
ไมตรี ไพศาลภาณุมาศ, 2521- . (2545). การปลูกชั้นอิพิแทกซีอินเดียมอาร์เซไนด์บนแผ่นฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์โดยวิธีปลูกผลึกจากลำโมเลกุล.
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
ไมตรี ไพศาลภาณุมาศ, 2521- . 2545. "การปลูกชั้นอิพิแทกซีอินเดียมอาร์เซไนด์บนแผ่นฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์โดยวิธีปลูกผลึกจากลำโมเลกุล".
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
ไมตรี ไพศาลภาณุมาศ, 2521- . "การปลูกชั้นอิพิแทกซีอินเดียมอาร์เซไนด์บนแผ่นฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์โดยวิธีปลูกผลึกจากลำโมเลกุล."
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2545. Print.
ไมตรี ไพศาลภาณุมาศ, 2521- . การปลูกชั้นอิพิแทกซีอินเดียมอาร์เซไนด์บนแผ่นฐานแกลเลียมอาร์เซไนด์โดยวิธีปลูกผลึกจากลำโมเลกุล. กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; 2545.