ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การพัฒนาทินออกไซด์แก๊สเซ็นเซอร์แบบฟิล์มบางโดยเทคนิคโซลเจลบนฐานรองซิลิคอน

หน่วยงาน ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : การพัฒนาทินออกไซด์แก๊สเซ็นเซอร์แบบฟิล์มบางโดยเทคนิคโซลเจลบนฐานรองซิลิคอน
นักวิจัย : จรัญ ศรีธาราธิคุณ
คำค้น : -
หน่วยงาน : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2544
อ้างอิง : http://www.thaithesis.org/detail.php?id=35452
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

วิทยานิพนธ์ฉบับนี้ได้นำเสนอการสร้างทินออกไซด์ก๊าซเซนเซอร์แบบฟิล์มบาง ที่เตรียมได้จากสารละลายโซลเจลทินออกไซด์โดยวิธีสปินนิงโคทติง ความเร็ว 3000 รอบ ต่อนาที ลงบนฐานรองซิลิคอนไดอะแฟรมไมโครฮีตเตอร์และตัววัดอุณหภูมิชนิดความต้านทาน (RTD) ถูกสร้างจากโลหะแพลทินัมที่ได้จากการเคลือบโดยเครื่องดีซี-สปัตเตอร์ริง โดย มีไททาเนียมเป็นชั้นประสานระหว่างแพลทินัมและซิลิคอนไดออกไซด์ ศึกษาอุณหภูมิใช้งาน ในช่วง 25-450 องศาเซลเซียสไมโครฮีตเตอร์ความหนา 2500 อังสตรอม ใช้กำลังงานน้อยที่สุด ส่วนตัววัดอุณหภูมิชนิดความต้านทาน อัตราการเปลี่ยนแปลงค่าความต้านทานต่อการเปลี่ยน แปลงอุณหภูมิที่ความหนา 2500 อังสตรอมจะมีค่าประมาณ 0.0322 โอห์มต่อองศาเซลเซียส หลังการแอนนีลฟิล์ม วัดความเป็นผลึกด้วยเครื่องวัดการเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ การแอนนีลที่อุณหภูมิ 700 องศาเซลเซียส ฟิล์มมีค่าความเป็นผลึกสูงสุด วัดความหนาฟิล์ม ด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบสแกนนิง พบว่าความหนาฟิล์มต่อการเคลือบ 1 ครั้ง มีความหนาประมาณ 500 อังสตรอม กัดลวดลายฟิล์มด้วยพลาสมาจากเครื่องอาร์เอฟ-สปัตเตอร์ริง ศึกษาคุณสมบัติทางไฟฟ้าของฟิล์มบางทินออกไซด์ เช่น ชนิดประจุพาหะ, สภาพความต้านทาน, ความหนาแน่นประจุพาหะ และค่าความคล่องตัว จากการตอบสนองต่อเอทิลแอลกอออล์ 10% พบว่าฟิล์มทั้ง 2 แบบ มีความไวสูงสุดและเวลาฟื้นตัวต่ำสุดที่อุณหภูมิ 300 องศาเซลเซียส โดยฟิล์มทินออกไซด์บริสุทธิ์มีความไวประมาณ 69% เวลาในการฟื้นตัว 300 วินาที ฟิล์มทินออกไซด์โดปแพลทินัมมีความไวประมาณ 74% เวลาในการฟื้นตัว 200 วินาที จากการ ตอบสนองคาร์บอนมอนอกไซด์ 1000 ppm พบว่าฟิล์มทั้ง 2 แบบมีความไวสูงสุดที่ อุณหภูมิ 250 องศาเซลเซียส และมีเวลาการฟื้นตัวต่ำสุดที่อุณหภูมิ 300 องศาเซลเซียส โดยฟิล์มทินออกไซด์บริสุทธิ์มีความไวประมาณ 10.12% เวลาในการฟื้นตัว 250 วินาที ส่วนฟิล์มทินออกไซด์โดปแพลทินัมมีความไวประมาณ 22.45% เวลาในการฟื้นตัว 200 วินาที

บรรณานุกรม :
จรัญ ศรีธาราธิคุณ . (2544). การพัฒนาทินออกไซด์แก๊สเซ็นเซอร์แบบฟิล์มบางโดยเทคนิคโซลเจลบนฐานรองซิลิคอน.
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย.
จรัญ ศรีธาราธิคุณ . 2544. "การพัฒนาทินออกไซด์แก๊สเซ็นเซอร์แบบฟิล์มบางโดยเทคนิคโซลเจลบนฐานรองซิลิคอน".
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย.
จรัญ ศรีธาราธิคุณ . "การพัฒนาทินออกไซด์แก๊สเซ็นเซอร์แบบฟิล์มบางโดยเทคนิคโซลเจลบนฐานรองซิลิคอน."
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย, 2544. Print.
จรัญ ศรีธาราธิคุณ . การพัฒนาทินออกไซด์แก๊สเซ็นเซอร์แบบฟิล์มบางโดยเทคนิคโซลเจลบนฐานรองซิลิคอน. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลวิทยานิพนธ์ไทย; 2544.