ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

การสร้างแบบจำลองและการออปติไมช์สภาวะการสร้างชั้นกึ่งฉนวน ซ่อมแซมและคัดแยกของเสีย ของกระบวนการผลิตชิปแทนทาลัมคาปาซิเตอร์

หน่วยงาน จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : การสร้างแบบจำลองและการออปติไมช์สภาวะการสร้างชั้นกึ่งฉนวน ซ่อมแซมและคัดแยกของเสีย ของกระบวนการผลิตชิปแทนทาลัมคาปาซิเตอร์
นักวิจัย : จันทรา ยอดมนต์, 2517-
คำค้น : ตัวเก็บประจุไฟฟ้า , แทนทาลัม , ไดอิเล็กตริก , ฉนวนไฟฟ้า
หน่วยงาน : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ผู้ร่วมงาน : ไพศาล กิตติศุภกร , ปกรณ์ ตั้งพาณิชย์ , จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
ปีพิมพ์ : 2545
อ้างอิง : 9741797567 , http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/1239
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

วิทยานิพนธ์ (วศ.ม.)--จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2545

ศึกษาถึงความสัมพันธ์ของตัวแปรที่มีผลต่อค่ากระแสรั่วไหล ของแทนทาลัมคาปาซิเตอร์ ในขั้นตอนการสร้างชั้นกึ่งฉนวน (A-anodization and Anodization) และขั้นตอนการซ่อมแซมชั้นกึ่งฉนวนและคัดแยกของเสีย (Aging) แล้วนำมาสร้างแบบจำลองของการถดถอย (Regression Model) โดยศึกษาผลิตภัณฑ์ 3 ประเภทคือ ผลิตภัณฑ์ประเภทแรงดันใช้งานสูง (High voltage product) ผลิตภัณฑ์ประเภทแรงดันใช้งานกลาง (Middle voltage product) และผลิตภัณฑ์ประเภทแรงดันใช้งานต่ำ (Low voltage product) ในการวิจัยนี้ใช้การออกแบบการทดลองเชิงแฟกทอเรียล (Factorial Design) แบบ 2k เมื่อ k คือ จำนวนปัจจัยที่ต้องการศึกษา การออกแบบการทดลองเชิงแฟกทอเรียล เป็นการออกแบบที่มีประสิทธิภาพสูง เนื่องจากสามารถใช้ศึกษาถึงผลตอบ (Response) ของปัจจัยหนึ่ง ซึ่งเป็นผลมาจากการเปลี่ยนแปลงระดับของอีกปัจจัยหนึ่งได้ นั่นคือสามารถหาอันตรกิริยา (Interaction) ระหว่างปัจจัยได้ งานวิจัยนี้ได้แบ่งการทดลองออกเป็นสองส่วนคือ ขั้นตอนการสร้างชั้นกึ่งฉนวนที่มีปัจจัยที่ต้องการศึกษา 6 ปัจจัย ได้แก่ ค่าความนำไฟฟ้าของโซเดียมเตตระบอเรต แรงดันไฟฟ้าในขั้นตอน A-Anodization เวลาในขั้นตอน A-Anodization ค่าความนำไฟฟ้าของกรดฟอสฟอริก แรงดันไฟฟ้าในขั้นตอน Anodization และเวลาในขั้นตอน Anodization ส่วนขั้นตอนการซ่อมแซมและคัดแยกของเสีย ที่มีปัจจัยที่ต้องการศึกษา 4 ปัจจัย ได้แก่ อุณหภูมิ แรงดันไฟฟ้า เวลา และอัตราเร็วในการเพิ่มแรงดันไฟฟ้า จากผลการวิจัยสามารถทราบความสัมพันธ์ และหาแบบจำลองทางคณิตศาสตร์ที่แสดงความสัมพันธ์ของปัจจัยต่างๆ ที่มีผลต่อค่ากระแสรั่วไหล (Leakage current) ในขั้นตอนการสร้างและซ่อมแซมชั้นกึ่งฉนวนได้ โดยมีความคลาดเคลื่อนเฉลี่ยสูงสุด 5.9% และ 14.8% ตามลำดับ จากความสัมพันธ์ของปัจจัยหลัก (Main Effect) และแบบจำลองทางคณิตศาสตร์ที่ได้ สามารถหาสภาวะปฏิบัติการที่ทำให้กระแสรั่วไหล มีค่าต่ำสุดภายใต้ขอบเขตระยะเวลาในการผลิตที่น้อยที่สุด โดยปริมาณกระแสรั่วไหลอยู่ในเกณฑ์มาตรฐาน

บรรณานุกรม :
จันทรา ยอดมนต์, 2517- . (2545). การสร้างแบบจำลองและการออปติไมช์สภาวะการสร้างชั้นกึ่งฉนวน ซ่อมแซมและคัดแยกของเสีย ของกระบวนการผลิตชิปแทนทาลัมคาปาซิเตอร์.
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
จันทรา ยอดมนต์, 2517- . 2545. "การสร้างแบบจำลองและการออปติไมช์สภาวะการสร้างชั้นกึ่งฉนวน ซ่อมแซมและคัดแยกของเสีย ของกระบวนการผลิตชิปแทนทาลัมคาปาซิเตอร์".
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
จันทรา ยอดมนต์, 2517- . "การสร้างแบบจำลองและการออปติไมช์สภาวะการสร้างชั้นกึ่งฉนวน ซ่อมแซมและคัดแยกของเสีย ของกระบวนการผลิตชิปแทนทาลัมคาปาซิเตอร์."
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2545. Print.
จันทรา ยอดมนต์, 2517- . การสร้างแบบจำลองและการออปติไมช์สภาวะการสร้างชั้นกึ่งฉนวน ซ่อมแซมและคัดแยกของเสีย ของกระบวนการผลิตชิปแทนทาลัมคาปาซิเตอร์. กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; 2545.