ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Electrical Characteristics Of Gan-Based Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Structures.

หน่วยงาน Universiti Sains Malaysia, Malaysia

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Electrical Characteristics Of Gan-Based Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Structures.
นักวิจัย : Abdullah, K. A. , Abdullah, M. J. , F., K. Yam , Hassan, Z.
คำค้น : QC1 Physics (General)
หน่วยงาน : Universiti Sains Malaysia, Malaysia
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : -
อ้างอิง : http://eprints.usm.my/11822/1/Electrical_Characterisics_of_GaN%2Dbased_Metal%2DOxide%2DSemiconductor_(PPSFizik)__2004.pdf , Abdullah, K. A. and Abdullah, M. J. and F., K. Yam and Hassan, Z. Electrical Characteristics Of Gan-Based Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Structures. Working Paper. Universiti Sains Malaysia.
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : http://eprints.usm.my/11822/
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Gallium nitride (Gan) has attracted considerable interest for electronic device applications at high temperature environment with high power conditions. The large lattice mismatch and the large thermal expansion coefficient difference between the Gan film and silicon substrate makes it difficult to get film of high quality and suitable for the metal-oxide-semiconductor (Mas) devices.

บรรณานุกรม :
Abdullah, K. A. , Abdullah, M. J. , F., K. Yam , Hassan, Z. . (). Electrical Characteristics Of Gan-Based Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Structures..
    กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia.
Abdullah, K. A. , Abdullah, M. J. , F., K. Yam , Hassan, Z. . . "Electrical Characteristics Of Gan-Based Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Structures.".
    กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia.
Abdullah, K. A. , Abdullah, M. J. , F., K. Yam , Hassan, Z. . "Electrical Characteristics Of Gan-Based Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Structures.."
    กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia, . Print.
Abdullah, K. A. , Abdullah, M. J. , F., K. Yam , Hassan, Z. . Electrical Characteristics Of Gan-Based Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Structures.. กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia; .