ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Thermal change of amorphous indium tin oxide films sputter-deposited in water vapor atmosphere

หน่วยงาน มหาวิทยาลัยเชียงใหม่

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Thermal change of amorphous indium tin oxide films sputter-deposited in water vapor atmosphere
นักวิจัย : Wang M.H. , Onai Y. , Hoshi Y. , Lei H. , Kondo T. , Uchida T. , Singkarat S. , Kamwanna T. , Dangtip S. , Aukkaravittayapun S. , Nishide T. , Tokiwa S. , Sawada Y.
คำค้น : -
หน่วยงาน : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2551
อ้างอิง : 00406090 , 10.1016/j.tsf.2007.10.041 , THSFA , http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-44349178249&partnerID=40&md5=50c9392c98d8b0755ea6b6ab0e2a25b9 , http://cmuir.cmu.ac.th/handle/6653943832/5519
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Amorphous ITO thin films were deposited on silicon wafers at room temperature by RF + DC magnetron sputtering at water vapor partial pressures between 0 and 6 × 10- 5 Torr. The O/(In + Sn) ratio was determined by Rutherford backscattering spectroscopy. The effect of water vapor on the thermal crystallization process was monitored by high-temperature X-ray diffraction (XRD) analysis. We found a simple dependence between the crystallization temperature and the water vapor partial pressure. After the high-temperature XRD, the films deposited at low water vapor pressures (2 × 10- 5 Torr or lower) exhibited <100> preferred orientation, whereas those deposited at high water vapor pressures (3 × 10- 5 Torr or higher) exhibited <111> preferred orientation. Introduction of water vapor during the deposition decreased carrier concentration and increased mobility. The carrier concentration after thermal crystallization was dependent on the water vapor partial pressure. © 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.

บรรณานุกรม :
Wang M.H. , Onai Y. , Hoshi Y. , Lei H. , Kondo T. , Uchida T. , Singkarat S. , Kamwanna T. , Dangtip S. , Aukkaravittayapun S. , Nishide T. , Tokiwa S. , Sawada Y. . (2551). Thermal change of amorphous indium tin oxide films sputter-deposited in water vapor atmosphere.
    เชียงใหม่ : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ .
Wang M.H. , Onai Y. , Hoshi Y. , Lei H. , Kondo T. , Uchida T. , Singkarat S. , Kamwanna T. , Dangtip S. , Aukkaravittayapun S. , Nishide T. , Tokiwa S. , Sawada Y. . 2551. "Thermal change of amorphous indium tin oxide films sputter-deposited in water vapor atmosphere".
    เชียงใหม่ : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ .
Wang M.H. , Onai Y. , Hoshi Y. , Lei H. , Kondo T. , Uchida T. , Singkarat S. , Kamwanna T. , Dangtip S. , Aukkaravittayapun S. , Nishide T. , Tokiwa S. , Sawada Y. . "Thermal change of amorphous indium tin oxide films sputter-deposited in water vapor atmosphere."
    เชียงใหม่ : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ , 2551. Print.
Wang M.H. , Onai Y. , Hoshi Y. , Lei H. , Kondo T. , Uchida T. , Singkarat S. , Kamwanna T. , Dangtip S. , Aukkaravittayapun S. , Nishide T. , Tokiwa S. , Sawada Y. . Thermal change of amorphous indium tin oxide films sputter-deposited in water vapor atmosphere. เชียงใหม่ : มหาวิทยาลัยเชียงใหม่ ; 2551.