ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Hot-carrier degradation on the analogue/RF performances of a 90nm RF-CMOS technology demonstrated in a 900MHz low-power LNA

หน่วยงาน ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Hot-carrier degradation on the analogue/RF performances of a 90nm RF-CMOS technology demonstrated in a 900MHz low-power LNA
นักวิจัย : วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ
คำค้น : -
หน่วยงาน : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : -
อ้างอิง : -
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย : -
บรรณานุกรม :
วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ . (). Hot-carrier degradation on the analogue/RF performances of a 90nm RF-CMOS technology demonstrated in a 900MHz low-power LNA.
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี.
วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ . . "Hot-carrier degradation on the analogue/RF performances of a 90nm RF-CMOS technology demonstrated in a 900MHz low-power LNA".
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี.
วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ . "Hot-carrier degradation on the analogue/RF performances of a 90nm RF-CMOS technology demonstrated in a 900MHz low-power LNA."
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี, . Print.
วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ . Hot-carrier degradation on the analogue/RF performances of a 90nm RF-CMOS technology demonstrated in a 900MHz low-power LNA. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี; .