ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

An integrated 5 GHz low-noise amplifier with 5.5 kV HBM ESD protection in 90 nm RF CMOS

หน่วยงาน ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : An integrated 5 GHz low-noise amplifier with 5.5 kV HBM ESD protection in 90 nm RF CMOS
นักวิจัย : วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ
คำค้น : -
หน่วยงาน : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : -
อ้างอิง : -
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย : -
บรรณานุกรม :
วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ . (). An integrated 5 GHz low-noise amplifier with 5.5 kV HBM ESD protection in 90 nm RF CMOS.
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี.
วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ . . "An integrated 5 GHz low-noise amplifier with 5.5 kV HBM ESD protection in 90 nm RF CMOS".
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี.
วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ . "An integrated 5 GHz low-noise amplifier with 5.5 kV HBM ESD protection in 90 nm RF CMOS."
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี, . Print.
วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ . An integrated 5 GHz low-noise amplifier with 5.5 kV HBM ESD protection in 90 nm RF CMOS. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี; .