ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

RF performance vulnerability to hot carrier stress and consequent breakdown in low power 90 nm RFCMOS

หน่วยงาน ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : RF performance vulnerability to hot carrier stress and consequent breakdown in low power 90 nm RFCMOS
นักวิจัย : วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ
คำค้น : -
หน่วยงาน : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : -
อ้างอิง : -
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย : -
บรรณานุกรม :
วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ . (). RF performance vulnerability to hot carrier stress and consequent breakdown in low power 90 nm RFCMOS.
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี.
วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ . . "RF performance vulnerability to hot carrier stress and consequent breakdown in low power 90 nm RFCMOS".
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี.
วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ . "RF performance vulnerability to hot carrier stress and consequent breakdown in low power 90 nm RFCMOS."
    กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี, . Print.
วุฒินันท์ เจียมศักดิ์ศิริ . RF performance vulnerability to hot carrier stress and consequent breakdown in low power 90 nm RFCMOS. กรุงเทพมหานคร : ฐานข้อมูลโครงสร้างพื้นฐานภาครัฐด้านวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี; .