ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Yeo, Yee-Chia
หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore
จำนวนงานวิจัยจำแนกรายปี
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
ความเชี่ยวชาญ
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
# นักวิจัย ร่วมงาน
1 Yoon, Soon Fatt 3
2 Owen, Man Hon Samuel 3
3 Wicaksono, Satrio 3
4 Zhan, Chunlei 2
5 Tan, Leng Seow 2
6 Subramanian, Sujith 2
7 Liu, Xinke 2
8 Chen, Kevin Jing 2
9 Loke, Wan Khai 2
10 Han, Genquan 2
11 Yang, Yue 2
12 Tan, Kian Hua 2
13 Ivana 2
14 Cheng, Yuanbing 1
15 Chi, Dong Zhi 1
16 Tok, Eng Soon 1
17 Guo, Pengfei 1
18 Richard D'Costa, Vijay 1
19 Chia, Ching Kean 1
20 Fan, Weijun 1
21 Low, Kain Lu 1
22 Pan, Jisheng 1
23 Zhang, Zheng 1
ปี
# พ.ศ. จำนวน
1 2557 1
2 2556 2
3 2555 4
ผลงานวิจัย
# หัวเรื่อง
ปี พ.ศ. 2557
1 Infrared spectroscopic ellipsometry study of sulfur-doped In0.53Ga0.47As ultra-shallow junctions
ปี พ.ศ. 2556
2 Tunneling field-effect transistor with Ge/In0.53Ga0.47As heterostructure as tunneling junction
3 AlGaN/GaN metal–oxide–semiconductor high-electron-mobility transistors with a high breakdown voltage of 1400 V and a complementary metal–oxide–semiconductor compatible gold-free process
ปี พ.ศ. 2555
4 Electronic band structure and effective mass parameters of Ge1−xSnx alloys
5 Effect of growth temperature on the epitaxy strain relaxation and the tilt of InxAl1−x as graded layer grown by solid-source molecular beam epitaxy
6 AlGaN/GaN-on-silicon metal–oxide–semiconductor high-electron-mobility transistor with breakdown voltage of 800 V and on-state resistance of 3 mΩ·cm2 using a complementary metal–oxide–semiconductor compatible gold-free process
7 N-channel InGaAs field-effect transistors formed on germanium-on-insulator substrates