ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Raghavan, Nagarajan
หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore
- Nagarajan Raghavan.
# พ.ศ. จำนวน
1 2557 1
2 2556 2
3 2555 6
4 2553 1
5 2552 1
6 2551 1
7 2550 1
# หัวเรื่อง
ปี พ.ศ. 2557
1 Analysis of correlated gate and drain random telegraph noise in post-soft breakdownTiN/HfLaO/SiOx nMOSFETs
ปี พ.ศ. 2556
2 Resilience of ultra-thin oxynitride films to percolative wear-out and reliability implications for high-κ stacks at low voltage stress
3 Intrinsic nanofilamentation in resistive switching
ปี พ.ศ. 2555
4 Triggering voltage for post-breakdown random telegraph noise in HfLaO dielectric metal gate metal-oxide-semiconductor field effect transistors and its reliability implications
5 Percolative model and thermodynamic analysis of oxygen-ion-mediated resistive switching
6 Nanoscale physical analysis of localized breakdown events in HfO2/SiOX dielectric stacks : a correlation study of STM induced BD with C-AFM and TEM
7 Dielectric breakdown - recovery in logic and resistive switching in memory : bridging the gap between the two phenomena
8 Role of grain boundary percolative defects and localized trap generation on the reliability statistics of high-κ gate dielectric stacks
9 Statistical characterization and reliability modeling of novel high-K gate dielectric stacks.
ปี พ.ศ. 2553
10 Imperfect predictive maintenance model for multi-state systems with multiple failure modes and element failure dependency
ปี พ.ศ. 2552
11 Comparative study of non-standard power diodes
ปี พ.ศ. 2551
12 Statistical modeling of via redundancy effects on interconnect reliability
ปี พ.ศ. 2550
13 A framework to practical predictive maintenance modeling for multi-state systems