ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Loke, Wan Khai
หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore
# พ.ศ. จำนวน
1 2556 1
2 2555 3
3 2554 1
4 2550 2
5 2549 1
6 2547 1
7 2546 1
8 2545 4
# หัวเรื่อง
ปี พ.ศ. 2556
1 Low temperature grown GaNAsSb : a promising material for photoconductive switch application
ปี พ.ศ. 2555
2 Effect of growth temperature on the epitaxy strain relaxation and the tilt of InxAl1−x as graded layer grown by solid-source molecular beam epitaxy
3 Characteristics of InAs/InGaAs/GaAs QDs on GeOI substrates with single-peak 1.3 µm room-temperature emission
4 N-channel InGaAs field-effect transistors formed on germanium-on-insulator substrates
ปี พ.ศ. 2554
5 InAs/GaAs quantum dots on germanium-on-insulator-on-silicon substrates (GeOI) using molecular beam epitaxy
ปี พ.ศ. 2550
6 Improvement of GaInNAs p-i-n photodetector responsivity by antimony incorporation
7 GaInNAs double-barrier quantum well infrared photodetector with the photodetection at 1.24 μm
ปี พ.ศ. 2549
8 Interpretation of an anomalous peak in low-temperature photoluminescence measurements of bulk GaAs[sub 1−x]N[sub x] on GaAs
ปี พ.ศ. 2547
9 The role of nitrogen-nitrogen pairs in the deviation of the GaAsN lattice parameter from Vegard’s law
ปี พ.ศ. 2546
10 Photoluminescence quenching mechanisms in GaInNAs/GaAs quantum well grown by solid source molecular beam epitaxy
ปี พ.ศ. 2545
11 Comparison of nitrogen compositions in the as-grown GaN[sub x]As[sub 1−x] on GaAs measured by high-resolution x-ray diffraction and secondary-ion mass spectroscopy
12 Photoluminescence characteristics of GaInNAs quantum wells annealed at high temperature
13 Improved GaN[sub x]As[sub 1−x] quality grown by molecular beam epitaxy with dispersive nitrogen source
14 Effect of In and N incorporation on the properties of lattice-matched GaInNAs/GaAs grown by radio frequency plasma-assisted solid-source molecular beam epitaxy