ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Kwong, Dim Lee
หน่วยงาน Nanyang Technological University, Singapore
และรู้จักในชื่อของ
- Kwong, Dim Lee.
จำนวนงานวิจัยจำแนกรายปี
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
ความเชี่ยวชาญ
บุคคลที่เคยร่วมงานวิจัย
ปี
# พ.ศ. จำนวน
1 2556 3
2 2555 15
3 2554 1
4 2551 1
5 2548 1
ผลงานวิจัย
# หัวเรื่อง
ปี พ.ศ. 2556
1 A nanoelectromechanical systems optical switch driven by optical gradient force
2 Thz polarizer using tunable metamaterials.
3 An on-chip opto-mechanical accelerometer
ปี พ.ศ. 2555
4 Micromachined switchable metamaterial with dual resonance
5 Nano-opto-mechanical actuator driven by gradient optical force.
6 A nano-opto-mechanical pressure sensor via ring resonator.
7 Tunable piezoresistance and noise in gate-all-around nanowire field-effect-transistor
8 Operating TSV in stable accumulation capacitance region by utilizing Al2O3-induced negative fixed charge
9 Piezoresistive sensing performance of junctionless nanowire FET
10 Polarization selective tunable filter via tuning of Fano resonances in MEMS switchable metamaterials
11 Polarization selective tunable filter via tuning of Fano resonances in MEMS switchable metamaterials
12 Nano-optofluidics for single molecule detection and sorting.
13 Double-layer hepatocyte tumor co-culture using hydrogel for drug effectivity and specificity analysis
14 A study of cancer cell metastasis using microfluidic transmigration device
15 A nano-optical switch driven by optical force using a laterally coupled double-ring resonator.
16 A nano-actuator via cavity-enhanced optical dipole force.
17 Low-frequency noise in oxide-based (TiN/HfOx/Pt) resistive random access memory cells
18 Vertical silicon nanowire platform for low power electronics and clean energy applications
ปี พ.ศ. 2554
19 Perspective of flash memory realized on vertical Si nanowires
ปี พ.ศ. 2551
20 A 0.18μm CMOS 802.15.4a UWB transceiver for communication and localization
ปี พ.ศ. 2548
21 Valence band structure of ultrathin silicon and germanium channels in metal-oxide-semiconductor field-effect transistors